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公开(公告)号：CN101300624A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040936.0
申请日：2006-12-20
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B20/10055
Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
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公开(公告)号：CN101300628A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040836.8
申请日：2006-12-20
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/1267
Abstract: 一种确定记录在光学记录介质上的标记的最佳再现条件的方法，其中，至少一个所述标记的长度小于拾取器的分辨率。所述方法包括：获得具有接近于拾取器的分辨率的长度的标记的最佳再现条件；和使用获得的最佳再现条件确定标记的最佳再现条件。
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公开(公告)号：CN101238514A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028911.9
申请日：2006-08-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00452 , G11B7/0052 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供了一种超分辨率信息记录介质，一种记录/再现设备和一种使用提供了由液体泡引起的超分辨率效应的信息记录介质的记录/再现方法。液体泡通过为从所述信息记录介质再现数据而照射的光束形成在所述介质的至少一部分中。因此，所述超分辨率信息记录介质具有改善了的光学特性，使得记录/再现可以更加优良。
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公开(公告)号：CN101243505A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029340.0
申请日：2006-08-08
Abstract: 一种光记录介质(10)，被设计为依次具有基板(12)、第一电介质层(14)、记录层(16)、第二电介质层(18)、超分辨率层(20)以及第三电介质层(22)，该超分辨率层(20)由在以规定照射功率的DC光照射1～300秒钟时产生空隙的材料构成，从而，能够在使再现激光的照射功率不依赖记录标记大小的情况下进行超分辨率再现。
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公开(公告)号：CN101238513A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028818.8
申请日：2006-07-28
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 , 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00455 , G11B7/24
Abstract: 在现有的超分辨率再生方法中通过对光盘照射的激光的功率，其光斑的大小变化，所以需要对每个记录图形的大小决定用于超分辨率再生的最佳的激光功率。本发明的光盘主要由记录层和粘性变化的材料层构成。当照射用于再生记录层上记录的信息的激光时，粘性变化的材料层的结晶性薄膜的一部分软化，由此该软化部分的光学常数变化，在软化部的边界面中产生光学常数的不连续面，在光斑内形成环状的特殊区域。由于该环状的特殊区域，可以对分辨率极限以下大小的记录图形通过与其以上大小的记录图形相同的信号强度进行再生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373484C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480018848.1
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24065 , G11B7/258 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括支撑基板(11)、透光层(12)、和插入到所述透光层(12)和所述支撑基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。所述支撑基板(11)的厚度为0.6mm到2.0mm；所述透光层(12)的厚度为10μm到200μm；所述贵金属氧化物层(23)的厚度为2nm到50nm；所述第二电介质层(32)的厚度为5nm到100nm；所述光吸收层(22)的厚度为5nm到100nm；并且所述第三电介质层(33)的厚度为10nm到140nm。因此，在采用针对下一代光学记录介质的光学系统进行超解析记录和再现时可获得优良的特性。
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公开(公告)号：CN100358031C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200480018577.X
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，第三介电层(3)，光吸收层(4)，第二介电层(5)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(6)，第一介电层(7)，和光透射层(8)，其中第二介电层具有20nm至100nm的厚度，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(8)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(6)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，因此通过由此产生的氧气在分解反应层(6)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(6)中形成了记录标志。
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公开(公告)号：CN1846254A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025272.1
申请日：2004-09-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00452 , G11B7/0901 , G11B7/24065
Abstract: 根据本发明的一种光学记录介质(10)，包括：其上形成有凹槽(11a)的支撑基板(11)、透光层(12)，在支撑基板(11)与透光层(12)之间设置的贵金属氧化物层(23)，其中，凹槽(11a)的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是透光层(12)对波长为λ的光的折射率。因此，通过将激光束照射在贵金属氧化物层(23)上，在进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其是有足够幅值的推挽信号。此外，因为凹槽的深度设定为60nm或更小，在生产用于制造基板的模片时不会出现较大的困难。
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公开(公告)号：CN1816455A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018578.4
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , B82Y10/00 , G11B7/2403 , G11B7/24065 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，反射层(3)，第三介电层(4)，光吸收层(5)，第二介电层(6)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(7)，第一介电层(8)，和光透射层(9)，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(9)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(7)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，使得通过由此产生的氧气在分解反应层(7)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(7)中形成了记录标志。
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公开(公告)号：CN100411024C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200480025272.1
申请日：2004-09-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00452 , G11B7/0901 , G11B7/24065
Abstract: 根据本发明的一种光学记录介质(10)，包括：其上形成有凹槽(11a)的支撑基板(11)、透光层(12)，在支撑基板(11)与透光层(12)之间设置的贵金属氧化物层(23)，其中，凹槽(11a)的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是透光层(12)对波长为λ的光的折射率。因此，通过将激光束照射在贵金属氧化物层(23)上，在进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其是有足够幅值的推挽信号。此外，因为凹槽的深度设定为60nm或更小，在生产用于制造基板的模片时不会出现较大的困难。
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