-
公开(公告)号：CN110320183B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910160116.4
申请日：2019-03-04
IPC: G01N21/63
Abstract: 提供了一种光学发射光谱仪(OES)的校准器。该OES的校准器可以包括盖、参考光源和控制器。盖可以与等离子体处理设备的等离子体腔室的顶板可拆卸地结合。参考光源可以安装在盖处，以通过等离子体腔室的内部空间向OES照射参考光。控制器可以将入射到OES的参考光的光谱与在等离子体腔室中的等离子体处理期间输入到OES的实际光的光谱进行比较以校准OES。因此，可以在不从等离子体室拆卸OES的情况下校准OES，以减少用于校准OES的时间。
-
公开(公告)号：CN110320183A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910160116.4
申请日：2019-03-04
IPC: G01N21/63
Abstract: 提供了一种光学发射光谱仪(OES)的校准器。该OES的校准器可以包括盖、参考光源和控制器。盖可以与等离子体处理设备的等离子体腔室的顶板可拆卸地结合。参考光源可以安装在盖处，以通过等离子体腔室的内部空间向OES照射参考光。控制器可以将入射到OES的参考光的光谱与在等离子体腔室中的等离子体处理期间输入到OES的实际光的光谱进行比较以校准OES。因此，可以在不从等离子体室拆卸OES的情况下校准OES，以减少用于校准OES的时间。
-
公开(公告)号：CN107919263A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710905447.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明构思的目的是通过减少设置在基板支撑件的圆周处的环形件的磨损程度来延长更换周期。一种基板处理装置包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
-
公开(公告)号：CN112151346B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010589986.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。
-
公开(公告)号：CN113690123B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110545351.0
申请日：2021-05-19
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113690123A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110545351.0
申请日：2021-05-19
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。
-
公开(公告)号：CN112151346A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010589986.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。
-
公开(公告)号：CN115295386A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210928718.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
-
公开(公告)号：CN109727839B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201811276800.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
-
公开(公告)号：CN114597110A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111515968.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种用于处理基板的设备，该设备可以包括：其中具有用于处理基板的空间的腔室；在腔室中支撑基板的支撑单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发成等离子体状态的等离子体产生单元，其中所述等离子体产生单元可以包括：高频电源；第一天线；第二天线；以及匹配器，所述匹配器连接在高频电源与第一及第二天线之间，其中所述匹配器可以包括向第一和第二天线分配电流的电流分配器，并且所述电流分配器包括：设置在第一天线与第二天线之间的第一电容器；与第二天线串联连接的第二电容器；以及与第二天线并联连接的第三电容器，其中第一电容器和第二电容器可以被提供为可变电容器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.03 seconds)
