公开(公告)号：CN113948658A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110032553.5

申请日：2021-01-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 裴俊喆 ,  张原硕 ,  周原提 ,  黄同穆

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种发光器件，该发光器件包括：反射层，包括周期性地二维布置的多个纳米结构；平坦化层，设置在反射层上；第一电极，设置在平坦化层上；有机发射层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在有机发射层上，其中，平坦化层包括导电材料，所述导电材料相对于由有机发射层发射的光是透明的，以及其中，平坦化层设置在所述多个纳米结构的上表面上，使得在所述多个纳米结构中的相邻的纳米结构之间提供气隙。

公开(公告)号：CN113156579A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202010539984.6

申请日：2020-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  丘泰晙 ,  黄同穆

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/12 ,  G02F1/035 ,  G02F1/01 ,  G01S7/481

Abstract: 提供了一种光检测设备，包括：光输入器件，被配置为接收光；多个波导，从光输入器件延伸，所述多个波导被配置为分别传输由光输入器件接收的光的多个部分；多个调制器，设置在所述多个波导上，并且被配置为分别调制在所述多个波导中传输的光的多个部分的相位；至少一个石墨烯层，被配置为吸收在所述多个波导中传输的光的多个部分；以及至少一个第一电极和至少一个第二电极，分别电连接至所述至少一个石墨烯层。

公开(公告)号：CN102856354A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210011942.0

申请日：2012-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  李银京 ,  黄同穆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/04 ,  C01B31/00 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供石墨烯结构及其制造方法、石墨烯器件及其制造方法。该石墨烯结构包括：基板；生长层，形成在基板上并具有暴露的侧表面；以及石墨烯层，从生长层的侧表面生长。

公开(公告)号：CN102557017A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110389290.X

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  李银京 ,  黄同穆

IPC: C01B31/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B32/182 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供了石墨烯结构及其形成方法。该石墨烯结构可以包括以三维(3D)形状形成的石墨烯，例如柱形、堆叠结构和三维连接的结构。石墨烯结构可以通过使用锗(Ge)形成。

公开(公告)号：CN102856354B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201210011942.0

申请日：2012-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  李银京 ,  黄同穆

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  H01L21/02 ,  C01B32/00 ,  C01B32/186 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明提供石墨烯结构及其制造方法、石墨烯器件及其制造方法。该石墨烯结构包括：基板；生长层，形成在基板上并具有暴露的侧表面；以及石墨烯层，从生长层的侧表面生长。

公开(公告)号：CN102557017B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110389290.X

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  李银京 ,  黄同穆

IPC: C01B32/184 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B32/182 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供了石墨烯结构及其形成方法。该石墨烯结构可以包括以三维(3D)形状形成的石墨烯，例如柱形、堆叠结构和三维连接的结构。石墨烯结构可以通过使用锗(Ge)形成。

公开(公告)号：CN103137953A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210379785.9

申请日：2012-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晋煥 ,  黄同穆 ,  禹先确

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/364 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  Y02T10/7011

Abstract: 复合负极活性材料、其制备方法和包括其的锂二次电池，所述复合负极活性材料包括设置在基于多孔碳的材料的表面和内部孔的一个或多个上的金属纳米结构体。