公开(公告)号：CN101086953A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710096488.2

申请日：2007-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金明云 ,  韩文炯

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00 ,  H05H1/00 ,  H05H1/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183

Abstract: 公开了一种半导体基底处理装置。所述半导体基底处理装置能够将具有相同频率的RF能量提供到上电极和下电极，以产生不同程度的均匀性，并且控制RF能量的能量比，从而提高半导体基底的处理均匀性。所述装置包括：真空室，用于容纳半导体基底；上电极和下电极，置于所述真空室中；RF能量供应器，用于将具有相同频率的RF能量提供到上电极和下电极；控制器，用于控制从RF能量供应器供应到上电极和下电极的RF能量的能量比。