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发明公开
间隙填充层、其形成方法、以及半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN110880511A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910837421.2

申请日：2019-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申美笑 , 闵忠基 , 金己焕 , 金相赫 , 金孝亭 , 林根元

IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/311

Abstract: 本申请提供了包括间隙填充层的装置、形成间隙填充层的方法、以及半导体装置。包括间隙填充层的装置可包括在下层上的上层，其限定从上层的顶表面朝着下层延伸的沟槽，并且间隙填充层可以是填充沟槽的多层结构。间隙填充层可包括：第一介电层，其填充沟槽的第一部分并具有靠近上层的顶表面的顶表面；第二介电层，其填充沟槽的第二部分并具有靠近上层的顶表面并且比第一介电层的顶表面更朝着下层凹陷的顶表面；以及第三介电层，其填充沟槽的剩余部分并覆盖第二介电层的顶表面。

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