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发明公开
包括背面配电网络结构的集成电路器件及其形成方法审中-公开

公开(公告)号：CN117594596A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311047484.0

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 , 洪元赫 , 金恩松 , 白在职 , 徐康一

IPC: H01L27/085 , H01L27/088 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L21/84

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件可以包括：晶体管，该晶体管包括沟道区和接触沟道区的源极/漏极区；电源轨，该电源轨被配置为电连接到电源并且在第一方向上与源极/漏极区间隔开；以及电源接触，该电源接触在源极/漏极区和电源轨之间并且接触源极/漏极区和电源轨两者。沟道区可以在第一方向上与电源接触重叠。

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