公开(公告)号：CN108735760A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810373132.7

申请日：2018-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光浩 ,  柳志桓 ,  曹升铉

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/1157

Abstract: 本文公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括在衬底的第一区上竖直地堆叠在彼此的顶部上的电极；竖直结构，其穿过堆叠结构，并且包括第一半导体图案；数据存储层，其位于第一半导体图案与电极中的至少一个之间；晶体管，其位于衬底的第二区上；以及第一接触件，其耦接至晶体管。第一接触件包括第一部分和第一部分上的第二部分。第一部分和第二部分中的每一个的直径随着与衬底相距的竖直距离增大而增大。第一部分的上部的直径大于第二部分的下部的直径。

公开(公告)号：CN108735760B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810373132.7

申请日：2018-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光浩 ,  柳志桓 ,  曹升铉

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 本文公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括在衬底的第一区上竖直地堆叠在彼此的顶部上的电极；竖直结构，其穿过堆叠结构，并且包括第一半导体图案；数据存储层，其位于第一半导体图案与电极中的至少一个之间；晶体管，其位于衬底的第二区上；以及第一接触件，其耦接至晶体管。第一接触件包括第一部分和第一部分上的第二部分。第一部分和第二部分中的每一个的直径随着与衬底相距的竖直距离增大而增大。第一部分的上部的直径大于第二部分的下部的直径。

公开(公告)号：CN107425004B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201710223451.5

申请日：2017-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹永培 ,  申重植 ,  金光浩 ,  朴玄睦

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30

Abstract: 本发明提供一种垂直存储器件，该垂直存储器件包括在基板上的沟道、栅线和切割图案。沟道在基本上垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。栅线在第一方向上彼此间隔开。每条栅线围绕沟道并在基本上平行于基板的上表面的第二方向上延伸。切割图案包括在第二方向上延伸并切割栅线的第一切割部分以及交叉第一切割部分并与第一切割部分合并的第二切割部分。

公开(公告)号：CN109285842B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN201810794960.8

申请日：2018-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光镐 ,  金光浩 ,  曹升铉 ,  柳志桓

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H01L23/528

Abstract: 一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。

公开(公告)号：CN109285842A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810794960.8

申请日：2018-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光镐 ,  金光浩 ,  曹升铉 ,  柳志桓

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7889 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。

公开(公告)号：CN107425004A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710223451.5

申请日：2017-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹永培 ,  申重植 ,  金光浩 ,  朴玄睦

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11568

CPC classification number: H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明提供一种垂直存储器件，该垂直存储器件包括在基板上的沟道、栅线和切割图案。沟道在基本上垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。栅线在第一方向上彼此间隔开。每条栅线围绕沟道并在基本上平行于基板的上表面的第二方向上延伸。切割图案包括在第二方向上延伸并切割栅线的第一切割部分以及交叉第一切割部分并与第一切割部分合并的第二切割部分。

公开(公告)号：CN1162722A

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN97101293.8

申请日：1997-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡元 ,  金光浩

IPC: F24C7/02

Abstract: 一种微波炉照明装置，包括形成在烹调室上表面的孔和通过该孔照明烹调室的灯。所述灯包括灯丝和灯泡，灯丝安装在上表面之上2mm处。所述孔的直径小于19mm，并设置在从上表面的前面算起的上表面深度的2/14处。该上表面包括一个倾斜部分，该倾斜部分向微波炉的前面向下倾斜，在倾斜部分上形成孔。灯设置在孔内，并面向烹调室的后面，用伸进烹调室的保护玻璃遮盖上述灯。

公开(公告)号：CN1151010A

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN96119978.4

申请日：1996-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 昔镇五 ,  金钟琪 ,  李钟贤 ,  金光浩 ,  崔镇浩

IPC: F25D27/00

CPC classification number: F25D27/00 ,  F25D2400/04 ,  F25D2700/02

Abstract: 在一种带有照明新鲜食品室的荧光灯的致冷机里，其中荧光灯安装在新鲜食品室里，并且随着用来开关新鲜食品室的门的开关而开和关，该致冷机包括一个安装在荧光灯附近以加热荧光灯的周围部分的加热器。该致冷机将荧光灯周围的温度维持在适合点亮荧光灯的温度，由此避免了点亮荧光灯的失败及点亮荧光灯后照明度的减小。

公开(公告)号：CN117083530A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280023677.X

申请日：2022-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李淳镛 ,  权宁健 ,  金光浩 ,  柳宰民 ,  金虎勇 ,  曹民根

IPC: G01R31/08

Abstract: 公开了一种用于检查电缆的电子装置以及一种检查方法。根据一个实施例，用于检查电缆的该电子装置包括：主基板；输入基板；以及输出基板，其中，主基板包括：包括多个第一引脚的第一选择器；包括多个第二引脚的第二选择器；处理器；以及用于向电子装置供电的电源装置，并且处理器可以识别连接到电子装置的电缆的紧固关系，基于紧固关系确定包括关于第一引脚和第二引脚的短路或开路的信息的引脚图，使用引脚图确定第一引脚和第二引脚的短路或开路，以及根据确定结果确定电缆的状态。