公开(公告)号：CN1641882A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510003953.4

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在焄 ,  郑舜文 ,  郭根昊 ,  黄炳晙

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

Abstract: 静态随机存取存储器(SRAM)器件包括在具有源极/漏极区的半导体衬底上的体MOS晶体管、在体MOS晶体管上的绝缘层以及在体MOS晶体管上的绝缘层上的具有源极/漏极区的薄膜晶体管。器件还包括在体MOS晶体管与薄膜晶体管之间的多层栓塞。多层栓塞包括直接在体MOS晶体管的源极/漏极区上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的半导体栓塞，和直接在薄膜晶体管的源极/漏极区和半导体栓塞上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的金属栓塞。还公开了相关方法。

公开(公告)号：CN100541801C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200510003952.X

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在焄 ,  郑舜文 ,  郭根昊 ,  黄炳晙

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/11 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108

Abstract: 提供了一种包括薄膜晶体管(TFT)的半导体集成电路及制造这种半导体集成电路的方法。该半导体集成电路可以包括在半导体衬底形成的体晶体管和体晶体管上的第一层间绝缘层。下TFT可以在第一层间绝缘层上，以及第二层间绝缘层可以在下TFT上。上TFT可以在第二层间绝缘层上，以及第三层间绝缘层可以在上TFT上。体晶体管的第一杂质区、下TFT的第一杂质区以及上TFT的第一杂质区可以通过穿透第一、第二和第三层间绝缘层的节点栓塞相互电连接。

公开(公告)号：CN100407426C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510003953.4

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在焄 ,  郑舜文 ,  郭根昊 ,  黄炳晙

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

Abstract: 静态随机存取存储器(SRAM)器件包括在具有源极/漏极区的半导体衬底上的体MOS晶体管、在体MOS晶体管上的绝缘层以及在体MOS晶体管上的绝缘层上的具有源极/漏极区的薄膜晶体管。器件还包括在体MOS晶体管与薄膜晶体管之间的多层栓塞。多层栓塞包括直接在体MOS晶体管的源极/漏极区上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的半导体栓塞，和直接在薄膜晶体管的源极/漏极区和半导体栓塞上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的金属栓塞。还公开了相关方法。

公开(公告)号：CN1641878A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510003952.X

申请日：2005-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在焄 ,  郑舜文 ,  郭根昊 ,  黄炳晙

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/11 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108

Abstract: 提供了一种包括薄膜晶体管(TFT)的半导体集成电路及制造这种半导体集成电路的方法。该半导体集成电路可以包括在半导体衬底形成的体晶体管和体晶体管上的第一层间绝缘层。下TFT可以在第一层间绝缘层上，以及第二层间绝缘层可以在下TFT上。上TFT可以在第二层间绝缘层上，以及第三层间绝缘层可以在上TFT上。体晶体管的第一杂质区、下TFT的第一杂质区以及上TFT的第一杂质区可以通过穿透第一、第二和第三层间绝缘层的节点栓塞相互电连接。