公开(公告)号：CN118588141A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410180564.1

申请日：2024-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安龙贤 ,  郑海瀯 ,  申召荣

IPC: G11C29/02 ,  G11C19/28

Abstract: 提供了存储器装置和校准存储器装置的输入偏移的方法。该存储器装置包括存储器单元阵列和输入/输出电路。输入/输出电路被配置为：(i)通过将第一数据与参考电压进行比较，响应于采样第一数据，生成第二数据，(ii)在接收模式寄存器码之前，基于第二数据生成对应于输入/输出电路的第一输入偏移的偏移校准码，(iii)在接收到模式寄存器码之后改变对应于模式寄存器码的输入缓冲器的增益，以及(iv)基于偏移校准码和模式寄存器码，通过调整施加至电连接至输入缓冲器的输入端子的电流元件的电流量，校准对应于输入缓冲器的改变的增益的第二输入偏移。控制逻辑也可用于将包括与输入/输出电路关联的增益信息的模式寄存器码提供至输入/输出电路。

公开(公告)号：CN118571276A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311527467.7

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑海瀯

IPC: G11C7/10 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/419 ,  G11C29/50

Abstract: 公开了一种存储器装置和用于校准其输入‑输出电路的阻抗的方法，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；输入/输出电路，被配置为将通过数据垫从外部(例如，外部源)接收的数据发送到存储器单元阵列或将从存储器单元阵列读取的数据发送到外部源；以及阻抗校准电路，被配置为：生成施加到输入/输出电路的阻抗校准码。阻抗校准电路还被配置为：将整个阻抗校准区间划分为多个子阻抗校准区间，并且在所述多个子阻抗校准区间中的每个中执行至少一个子阻抗校准，所述至少一个子阻抗校准与多个阻抗模式中的至少一个对应。

公开(公告)号：CN112863563A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011262220.3

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑宪洙 ,  郑汉基 ,  金旺洙 ,  郑海瀯

IPC: G11C8/06 ,  G11C29/18 ,  G11C17/16

Abstract: 一种存储器模块的存储器设备包括：通过被不同于所述存储器模块的所述存储器设备的存储器设备共享的总线接收命令/地址(CA)信号的CA缓冲器，以及识别所述总线上的所述存储器设备的位置信息的校准逻辑电路。存储器设备辨识其在存储器模块中的总线上的自身位置以执行自校准，因此，即使在取决于存储器模块中的位置而变化的操作条件下，存储器设备也可以适当地操作。