公开(公告)号：CN110907471B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201910542195.5

申请日：2019-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑殷熹 ,  亚历山大·肖尔克夫 ,  安东·梅德韦杰夫 ,  马克西姆·里亚巴克 ,  裴祥佑 ,  大久保彰律 ,  李相珉 ,  赵成根 ,  朱愿暾

IPC: G01N21/956

Abstract: 公开一种检测基板上缺陷的方法和用于检测基板上的缺陷的设备。在检测基板上的缺陷的方法中，可以将入射光束照射到基板的表面以产生反射光束。可检测反射光束之中的二次谐波产生(SHG)光束。SHG光束可由基板上的缺陷产生。可通过检查SHG光束来检测纳米尺寸缺陷。

公开(公告)号：CN110907471A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910542195.5

申请日：2019-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑殷熹 ,  亚历山大·肖尔克夫 ,  安东·梅德韦杰夫 ,  马克西姆·里亚巴克 ,  裴祥佑 ,  大久保彰律 ,  李相珉 ,  赵成根 ,  朱愿暾

IPC: G01N21/956

Abstract: 公开一种检测基板上缺陷的方法和用于检测基板上的缺陷的设备。在检测基板上的缺陷的方法中，可以将入射光束照射到基板的表面以产生反射光束。可检测反射光束之中的二次谐波产生(SHG)光束。SHG光束可由基板上的缺陷产生。可通过检查SHG光束来检测纳米尺寸缺陷。