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公开(公告)号：CN115939169A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211183403.5
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张志熏 , 请求不公布姓名 , 金东完 , 朴桐湜 , 尹灿植 , 张贤禹
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括沟槽的衬底；隔离结构，包括堆叠在沟槽中的内壁氧化物层图案、衬垫图案和填充绝缘图案；以及在衬底和隔离结构上的栅极结构，其中内壁氧化物层图案和衬垫图案共形地形成在沟槽的表面上，内壁氧化物层图案的上表面低于衬底的上表面，以及内壁氧化物层图案的上表面和衬垫图案的上表面之间的边界没有台阶差。
