公开(公告)号：CN103226043A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310035480.0

申请日：2013-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许寅会 ,  申东明 ,  洪钟波 ,  金秋浩 ,  池元秀 ,  金俊佑

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/04 ,  H01L21/67

CPC classification number: G01J5/00 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/029 ,  G01J5/048 ,  G01J5/0818 ,  H05B1/00

Abstract: 本发明提供了一种光学高温计和一种使用该光学高温计处理半导体的设备，所述光学高温计包括：具有接收端的接收部，接收端用于接收加热单元的光辐射；和壳部，覆盖除接收部的接收端以外的接收部，其中，接收部的接收端的与接收部的接收端的纵向垂直的截面的面积朝接收部的接收端的端部减小。

公开(公告)号：CN103329249B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180061432.8

申请日：2011-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊佑 ,  竹谷元伸 ,  许寅会 ,  金秋浩 ,  李在凤

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供了化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法。根据本发明一个实施例的化学气相沉积设备包括：腔体，其包括具有至少一个凹穴部分的基座，凹穴部分将晶片安放在其中；腔盖，其布置在腔体上以开放/关闭腔体，并且在基座与腔盖之间形成反应空间；反应气体供给部，其向反应空间提供反应气体以使反应气体沿基座的表面流过；以及非反应气体供给部，其向反应空间提供非反应气体以使非反应气体沿腔盖在反应空间中位于基座与腔盖之间的表面流过，从而防止反应气体与腔盖的表面接触。

公开(公告)号：CN103329249A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180061432.8

申请日：2011-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊佑 ,  竹谷元伸 ,  许寅会 ,  金秋浩 ,  李在凤

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法。根据本发明一个实施例的化学气相沉积设备包括：腔体，其包括具有至少一个凹穴部分的基座，凹穴部分将晶片安放在其中；腔盖，其布置在腔体上以开放/关闭腔体，并且在基座与腔盖之间形成反应空间；反应气体供给部，其向反应空间提供反应气体以使反应气体沿基座的表面流过；以及非反应气体供给部，其向反应空间提供非反应气体以使非反应气体沿腔盖在反应空间中位于基座与腔盖之间的表面流过，从而防止反应气体与腔盖的表面接触。