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公开(公告)号：CN115020340A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202111651145.4
申请日：2021-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置和用于制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；有源图案，在基底上沿第一水平方向延伸；栅电极，在有源图案上沿不同于第一水平方向的第二水平方向延伸；源区/漏区，位于栅电极的至少一侧上；源极/漏极接触件，延伸到源区/漏区中，并且包括填充层和沿着填充层的侧壁的阻挡层；以及硅化物层，位于源区/漏区与填充层之间，硅化物层包括与填充层接触的第一侧壁和与源区/漏区接触的第二侧壁，其中，阻挡层不位于填充层与源区/漏区之间。
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