-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241972A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810008815.9
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3244 , H01L51/5008 , H01L51/5036 , H01L51/5052
Abstract: 一种显示装置，包括：第一电极；第二电极；发射材料层，置于第一电极和第二电极之间，发射材料层掺杂有电荷传输材料，其掺杂的电荷传输材料的含量沿着厚度方向变化，并且所述发射材料层包括依次堆叠的多个子层。
-
公开(公告)号：CN1187796C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN01139609.1
申请日：2001-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76897
Abstract: 半导体器件的接触的制造方法包含一系列的预处理工艺，每个工艺都在等离子预处理舱中进行。半导体衬底具有形成在包含硅的材料的下层上的中间层。接触孔形成在中间层中以便露出下层的表面。接着，将半导体衬底装载到等离子预处理舱中。在预处理舱中通过灰化除去光致抗蚀剂图形。然后在等离子舱中除去由接触孔露出的表面处的损坏层。接着，在等离子预处理舱中预清洁该半导体衬底。然后在真空中将该半导体衬底传送到淀积舱。在这里，在该衬底上形成填充接触孔的上层。
-
公开(公告)号：CN1356719A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01139609.1
申请日：2001-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76897
Abstract: 半导体器件的接触的制造方法包含一系列的预处理工艺,每个工艺都在等离子体预处理舱中进行。半导体衬底具有形成在包含硅的材料的下层上的中间层。接触孔形成在中间层中以便露出下层的表面。接着,将半导体衬底装载到等离子体预处理舱中。在预处理舱中通过灰化除去光致抗蚀剂图形。然后在等离子体舱中除去由接触孔露出的表面处的损坏层。接着,在等离子体预处理舱中预清洁该半导体衬底。然后在真空中将该半导体衬底传送到淀积舱。在这里,在该衬底上形成填充接触孔的上层。
-
公开(公告)号：CN101241972B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810008815.9
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3244 , H01L51/5008 , H01L51/5036 , H01L51/5052
Abstract: 一种显示装置，包括：第一电极；第二电极；发射材料层，置于第一电极和第二电极之间，发射材料层掺杂有电荷传输材料，其掺杂的电荷传输材料的含量沿着厚度方向变化，并且所述发射材料层包括依次堆叠的多个子层。
-
公开(公告)号：CN101226991A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710167483.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5076 , H01L27/3209 , H01L27/3211 , H01L51/001 , H01L51/5004 , H01L51/5036 , H01L51/5052 , H01L51/506 , H01L51/5206
Abstract: 本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括：第一电极；空穴传输层，形成在第一电极上，空穴传输层包括用作空穴传输材料的第一主体和用作电子接受材料的第一掺杂物；发光材料层，形成在空穴传输层上，发光材料层包括顺序堆叠的红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层；电子传输层，形成在发光材料层上，电子传输层包括用作电子传输材料的第二主体和用作电子给予材料的第二掺杂物；第二电极，形成在电子传输层上。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.021 seconds)
