公开(公告)号：CN118488709A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410097746.2

申请日：2024-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金希锡 ,  金承允 ,  朴芮珍 ,  白寅焕 ,  安钟善

IPC: H10B43/20 ,  H01L29/10 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电路图案，设置在基底上；公共源极板(CSP)，设置在下电路图案上；沟道连接图案，设置在CSP上；牺牲层结构，设置在CSP上并且与沟道连接图案间隔开；支撑层，设置在沟道连接图案和牺牲层结构上；第一栅电极结构和第二栅电极结构，包括堆叠在支撑层上并且彼此间隔开的栅电极；第一沟道，设置在CSP上，其中，第一沟道延伸穿过第一栅电极结构、支撑层和沟道连接图案；以及接触插塞，延伸穿过第二栅电极结构、支撑层、牺牲层结构和CSP，其中，接触插塞电连接到下电路图案。

公开(公告)号：CN117116904A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310584022.6

申请日：2023-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴庆训 ,  白寅焕 ,  白在馥 ,  韩智勋 ,  金承允 ,  金希锡 ,  朴炳在 ,  安钟善 ,  尹柱美

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  G11C5/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括第一基板、在第一基板上的电路器件、以及连接到电路器件的下互连结构；以及在第一半导体结构上的第二半导体结构。第二半导体结构可以包括：具有第一区和第二区的第二基板；延伸穿过第二基板的基板绝缘层；延伸穿过基板绝缘层的着陆焊盘；栅电极，每个栅电极在第二区上具有拥有暴露的上表面的栅极焊盘区；以及栅极接触插塞，延伸穿过至少一个栅电极的栅极焊盘区并延伸到着陆焊盘中。着陆焊盘可以包括被基板绝缘层的内侧表面围绕的焊盘部分以及从焊盘部分延伸到下互连结构的通路部分。