公开(公告)号：CN108364667B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201711429791.X

申请日：2017-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  朴一汉 ,  尹廷允 ,  洪允镐

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种非易失性存储器器件的编程方法，该方法包括以下步骤：第一编程循环，包括将第一验证电压施加到多个第一存储器单元的字线，该多个第一存储器单元用于在第一目标阈值的第一编程状态中被编程，并且从该多个第一存储器单元中检测出阈值电压小于该第一验证电压的第一慢速存储器单元；第二编程循环，包括向该第一存储器单元施加第一编程脉冲，并向第一慢速存储器单元施加第二编程脉冲，第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。

公开(公告)号：CN116072186A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211337685.X

申请日：2022-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  金炯坤 ,  郑凤吉 ,  洪允镐 ,  黄柱盛

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/30

Abstract: 公开的是存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块，所述存储块与多条字线连接；电压发生电路，所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压；以及地址译码电路，所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接。在所述多条字线的字线设置时段期间，所述电压发生电路在所述未选字线中的第一未选字线达到第一目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第一未选字线相对应的第一驱动线浮置，并且在所述未选字线中的第二未选字线达到与所述第一目标电平不同的第二目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第二未选字线相对应的第二驱动线浮置。

公开(公告)号：CN108364667A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201711429791.X

申请日：2017-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  朴一汉 ,  尹廷允 ,  洪允镐

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C16/3481 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种非易失性存储器器件的编程方法，该方法包括以下步骤：第一编程循环，包括将第一验证电压施加到多个第一存储器单元的字线，该多个第一存储器单元用于在第一目标阈值的第一编程状态中被编程，并且从该多个第一存储器单元中检测出阈值电压小于该第一验证电压的第一慢速存储器单元；第二编程循环，包括向该第一存储器单元施加第一编程脉冲，并向第一慢速存储器单元施加第二编程脉冲，第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。