公开(公告)号：CN101118910A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710126357.4

申请日：2007-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁陹震 ,  韩晶昱 ,  崔容硕 ,  权赫基

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0692 ,  G11C16/0416 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明涉及具有垂直沟道的非易失存储装置及其制造方法，公开了半导体闪存单元对，该半导体闪存单元对包括：形成于半导体基板中的第一和第二源极线；在所述源极线之间从半导体基板延伸的半导体柱；形成于半导体柱的相对侧表面上且被沟槽隔离结构分隔的第一和第二电荷存贮结构。在存储单元阵列中分开相邻的半导体柱的x和y节距被选择，由此形成沟槽隔离结构以用于分离设置于半导体柱的相对侧上的电荷存贮结构和导电结构。还披露了制造这样结构的方法，由此可以改善闪存装置尤其是NOR闪存装置的密度。