公开(公告)号：CN107039431A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611115120.1

申请日：2016-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁孟松 ,  石城大 ,  裵金钟

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开提供半导体器件以及集成电路。一种半导体器件包括：提供在基板上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管的每个包括彼此间隔开的源漏区域、在基板上在第一方向上延伸并插置在源漏区域之间的栅结构、以及将源漏区域连接到彼此的沟道区。第二晶体管的沟道区和第三晶体管的沟道区的每个包括多个沟道部分，所述多个沟道部分在垂直于基板的上表面的第二方向上彼此间隔开并分别连接到源漏区域。第三晶体管的沟道部分在第一方向上的宽度大于第二晶体管的沟道部分在第一方向上的宽度。

公开(公告)号：CN107039431B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201611115120.1

申请日：2016-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁孟松 ,  石城大 ,  裵金钟

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11

Abstract: 本公开提供半导体器件以及集成电路。一种半导体器件包括：提供在基板上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管的每个包括彼此间隔开的源漏区域、在基板上在第一方向上延伸并插置在源漏区域之间的栅结构、以及将源漏区域连接到彼此的沟道区。第二晶体管的沟道区和第三晶体管的沟道区的每个包括多个沟道部分，所述多个沟道部分在垂直于基板的上表面的第二方向上彼此间隔开并分别连接到源漏区域。第三晶体管的沟道部分在第一方向上的宽度大于第二晶体管的沟道部分在第一方向上的宽度。