-
公开(公告)号：CN100414414C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510076639.9
申请日：2005-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0545 , H01L51/10 , H01L51/5237
Abstract: 提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极与在数据线和漏电极之间的栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体层；形成完全覆盖有机半导体层的保护构件；在保护构件、数据线和漏电极上形成钝化层；在钝化层内形成接触孔以露出部分漏电极；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极经接触孔与漏电极连接。
-
公开(公告)号：CN1790681A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124736.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约20至35℃的温度沉积ITO层；蚀刻ITO层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。
-
公开(公告)号：CN1790681B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200510124736.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3244 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约20至35℃的温度沉积ITO层；蚀刻ITO层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。
-
公开(公告)号：CN100563021C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200510091115.7
申请日：2005-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列板，包括：基板；数据线，设置在基板上；层间绝缘层，设置在数据线上；栅极线，设置在层间绝缘层上，且包括栅电极；栅极绝缘层，设置在栅极线和层间绝缘层上，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘膜具有暴露数据线的接触孔；第一电极，设置在栅极绝缘层上，并通过接触孔连接至数据线；第二电极，关于栅电极与第一电极相对设置；有机半导体，设置在第一和第二电极上，并接触第一和第二电极；以及钝化件，设置在有机半导体上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1761067A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510087567.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3272 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一形成在衬底上且包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；一安置在所述栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在所述栅线上且在所述漏极上具有一第一接触孔的钝化层；一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。
-
公开(公告)号：CN100495717C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510087567.8
申请日：2005-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3272 , H01L27/3274 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管阵列板，其包括：一衬底；一形成在衬底上且包括一源极的数据线；一形成在衬底上且与所述数据线分隔开的漏极；一安置在所述源极和漏极上的有机半导体；一形成在所述有机半导体上的栅绝缘体；一安置在所述栅绝缘体上包括一栅极的栅线；一形成在所述栅线上且在所述漏极上具有一第一接触孔的钝化层；一通过所述第一接触孔连接到所述漏极的像素电极；和一安置在所述有机半导体下面的不透明的光阻隔元件。
-
公开(公告)号：CN1790727A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510091115.7
申请日：2005-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列板，包括：基板；数据线，设置在基板上；层间绝缘层，设置在数据线上；栅极线，设置在层间绝缘层上，且包括栅电极；栅极绝缘层，设置在栅极线和层间绝缘层上，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘膜具有暴露数据线的接触孔；第一电极，设置在栅极绝缘层上，并通过接触孔连接至数据线；第二电极，关于栅电极与第一电极相对设置；有机半导体，设置在第一和第二电极上，并接触第一和第二电极；以及钝化件，设置在有机半导体上。
-
公开(公告)号：CN1716060A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510076639.9
申请日：2005-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0545 , H01L51/10 , H01L51/5237
Abstract: 提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极与在数据线和漏电极之间的栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体层；形成完全覆盖有机半导体层的保护构件；在保护构件、数据线和漏电极上形成钝化层；在钝化层内形成接触孔以露出部分漏电极；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极经接触孔与漏电极连接。
-
公开(公告)号：CN1716059A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510076638.4
申请日：2005-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/283 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0516 , H01L51/0541
Abstract: 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极和栅极绝缘层的暴露部分上沉积有机半导体层；在有机半导体层上沉积保护层；在保护层上形成光阻剂，该光阻剂具有正性光敏性；用光阻剂作为蚀刻掩膜蚀刻保护层和有机半导体层；在保护层、数据线和漏电极上形成钝化层，该钝化层具有露出部分漏电极的接触孔；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极与漏电极经接触孔电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.023 seconds)
