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公开(公告)号：CN116364647A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211688293.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H10B12/00
Abstract: 提供一种制作包括接触插塞的半导体器件的方法及半导体器件。一种制作半导体器件的方法包括在下结构上形成互连结构。在所述互连结构之间形成绝缘层。图案化所述绝缘层以形成绝缘图案。在所述绝缘图案之间形成绝缘围栏。在所述绝缘围栏上形成第一保护图案。在形成所述第一保护图案之后蚀刻所述绝缘图案以形成接触孔。在所述接触孔中形成接触插塞。
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