公开(公告)号：CN111211102A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910859224.0

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李学承 ,  文光辰 ,  金泰成 ,  李大硕 ,  林东灿

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种半导体封装以及半导体装置。一种半导体封装包括第一半导体芯片以及堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：衬底，具有第一通孔孔洞；绝缘间层，形成在衬底上且在绝缘间层的外表面中具有第一键合焊盘、以及连接到第一通孔孔洞且暴露出第一键合焊盘的第二通孔孔洞；以及插塞结构，在第一通孔孔洞及第二通孔孔洞内被形成为连接到第一键合焊盘。第二半导体芯片包括第二键合焊盘，第二键合焊盘键合到从第一半导体芯片的衬底的表面暴露出的插塞结构。

公开(公告)号：CN112242379A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010676514.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩知 ,  赵星东 ,  朴光郁 ,  朴相俊 ,  李大硕 ,  李学承

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体器件及半导体封装件。所述半导体器件包括具有有源表面的半导体衬底，半导体元件设置在所述有源表面上。层间绝缘膜设置在所述半导体衬底上。第一通路结构穿过所述半导体衬底。所述第一通路结构具有第一直径。第二通路结构穿过所述半导体衬底。所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径。所述第一通路结构具有与所述层间绝缘膜接触的台阶部分。

公开(公告)号：CN110875271A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910481256.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大硕 ,  李学承 ,  林东灿 ,  金泰成 ,  文光辰

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供半导体芯片及其制造方法。半导体芯片包含：衬底；层间绝缘层，包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层；蚀刻终止层，位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间；接地焊盘，位于层间绝缘层上；以及贯通孔，经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。