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公开(公告)号：CN109961820B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201811556056.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 为了在非易失性存储器装置中编程，存储器块设有在竖直方向上布置的多个子块，其中存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串联连接并且在竖直方向上布置的多个存储器单元。多个中间开关晶体管在竖直方向上布置在两个相邻子块之间的边界部分中。在编程操作期间基于编程地址选择性地激活所述多个中间开关晶体管中的每一个。选择性地激活所述多个中间开关晶体管中的每一个包括：基于编程地址选择性地导通选择的单元串中的一个或多个中间开关晶体管。
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公开(公告)号：CN110399093B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910327392.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了一种包括非易失性存储器件和控制器的存储设备。该存储设备包括：包括存储块的非易失性存储器件，每个存储块包括存储单元；以及从外部主机设备接收第一写入请求的控制器。根据所述第一写入请求，该控制器将第一清除命令发送到该非易失性存储器件，并将与所述第一写入请求相关联的第一写入数据和第一写入命令发送到该非易失性存储器件。该非易失性存储器件被配置为响应于第一清除命令，清除先前写入到存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据。所述非易失性存储器件还被配置为响应于所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。
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公开(公告)号：CN110399093A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910327392.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了一种包括非易失性存储器件和控制器的存储设备。该存储设备包括：包括存储块的非易失性存储器件，每个存储块包括存储单元；以及从外部主机设备接收第一写入请求的控制器。根据所述第一写入请求，该控制器将第一清除命令发送到该非易失性存储器件，并将与所述第一写入请求相关联的第一写入数据和第一写入命令发送到该非易失性存储器件。该非易失性存储器件被配置为响应于第一清除命令，清除先前写入到存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据。所述非易失性存储器件还被配置为响应于所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。
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公开(公告)号：CN111564171A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010089879.7
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴周龙
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备，其执行读取操作，在读取操作期间行解码器电路将接通电压施加到从多条地选择线中选择的第一地选择线；将关断电压施加到从所述多条地选择线中选择的至少一条第二地选择线，所述至少一条第二地选择线基于与读取操作相关联的读取地址从所述多条地选择线中被选择；以及在将预脉冲电压施加到所述多条地选择线之中的未被选择的地选择线之后，将关断电压施加到未被选择的地选择线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109961820A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811556056.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 为了在非易失性存储器装置中编程，存储器块设有在竖直方向上布置的多个子块，其中存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串联连接并且在竖直方向上布置的多个存储器单元。多个中间开关晶体管在竖直方向上布置在两个相邻子块之间的边界部分中。在编程操作期间基于编程地址选择性地激活所述多个中间开关晶体管中的每一个。选择性地激活所述多个中间开关晶体管中的每一个包括：基于编程地址选择性地导通选择的单元串中的一个或多个中间开关晶体管。
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公开(公告)号：CN118298880A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311509125.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种包括存储器装置和存储器控制器的存储器系统。存储器装置包括被配置为通过第一输入/输出焊盘接收输入/输出信号的第一存储器芯片和具有通过映射连接而连接到第一输入/输出焊盘的第二输入/输出焊盘的第二存储器芯片的封装。存储器控制器被配置为向存储器装置提供输入/输出信号。由于映射连接，第二存储器芯片被配置为接收与存储器控制器提供给第一存储器芯片的输入/输出信号不同的输入/输出信号。第一和第二存储器芯片被配置为基于映射连接选择性地忽略由存储器控制器提供的输入/输出信号。
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公开(公告)号：CN111564171B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010089879.7
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴周龙
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备，其执行读取操作，在读取操作期间行解码器电路将接通电压施加到从多条地选择线中选择的第一地选择线；将关断电压施加到从所述多条地选择线中选择的至少一条第二地选择线，所述至少一条第二地选择线基于与读取操作相关联的读取地址从所述多条地选择线中被选择；以及在将预脉冲电压施加到所述多条地选择线之中的未被选择的地选择线之后，将关断电压施加到未被选择的地选择线。
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公开(公告)号：CN116110482A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211405909.6
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种用于将存储器单元编程为多个编程状态的存储器装置的操作方法包括：向选择的存储器单元提供一系列编程脉冲；执行验证多个编程状态中的目标编程状态的第一验证操作；当第一验证操作通过时，执行检测选择的存储器单元中的故障单元的第二验证操作，以确定这些存储器单元是否已经被过编程。当检测到的故障单元的数量大于或等于参考值时，可终止针对该位置的编程操作，并且可将数据写入到另一位置。
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公开(公告)号：CN115602233A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210713815.9
申请日：2022-06-22
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。
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