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公开(公告)号：CN118230772A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311651825.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括电压生成器的非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：计算第一字线节点的电压电平与第二字线节点的电压电平之间的差；基于所述电压电平之间的差将所述电压生成器的第一参考电压电平改变为第二参考电压电平；以及基于所述第一参考电压电平和所述第二参考电压电平中的一者确定目标电压电平。与所述第二字线节点相比，所述第一字线节点可以更靠近所述电压生成器的输出端。
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公开(公告)号：CN109979944B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201811540991.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；地址解码器，设置在多条栅极线的第一侧处以驱动多条栅极线；电压补偿线，在第一方向上基本平行于多条栅极线地延伸，并且在第二方向上与多条栅极线之中的目标栅极线叠置；上升竖直接触件，在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接；导电路径，在第二方向上使电压补偿线的第一部分和第二部分与目标栅极线的近端部分和远端部分连接。
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公开(公告)号：CN116343846A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211644135.2
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于温度码输出温度段中的该温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于电平码输出在温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。
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公开(公告)号：CN111161776A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910915513.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 比拉·阿哈默德·詹久阿 , 维韦克·文卡塔·克耶古 , 朴俊泓 , 李埈圭 , 朴智薰
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。
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公开(公告)号：CN100549773C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610087797.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2320/0219 , G09G2330/023
Abstract: 一种用于驱动液晶显示器(LCD)数据线的输出电路，该电路包括：选择电路，具有第一输入端、耦接到电荷共用线的第二输入端、和耦接到该LCD数据线的输出端。该选择电路被配置为响应于电荷共用控制信号而将所述第一和第二输入端选择性地耦接到该LCD数据线。该输出电路还包括数据线电压源电路，被耦接到该选择电路的第一输入端，并被配置为响应于该电荷共用控制信号而向其提供数据线电压。
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公开(公告)号：CN1928635A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610087797.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2320/0219 , G09G2330/023
Abstract: 一种用于驱动液晶显示器(LCD)数据线的输出电路，该电路包括：选择电路，具有第一输入端、耦接到电荷共用线的第二输入端、和耦接到该LCD数据线的输出端。该选择电路被配置为响应于电荷共用控制信号而将所述第一和第二输入端选择性地耦接到该LCD数据线。该输出电路还包括数据线电压源电路，被耦接到该选择电路的第一输入端，并被配置为响应于该电荷共用控制信号而向其提供数据线电压。
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公开(公告)号：CN111161776B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201910915513.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 比拉·阿哈默德·詹久阿 , 维韦克·文卡塔·克耶古 , 朴俊泓 , 李埈圭 , 朴智薰
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。
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公开(公告)号：CN118335155A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311223995.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括耦接到字线的存储单元；升压电路，接收外部电源电压，并基于外部电源电压生成升压电压；调节器，基于外部电源电压生成调节电压；以及控制逻辑，控制提供给字线的字线电压。控制逻辑在针对存储单元阵列的编程操作中执行多个编程循环。控制逻辑向与所选择的字线相邻的相邻字线提供相邻字线电压。在编程循环的第一部分中，控制逻辑提供调节电压作为相邻字线电压，并且在编程循环的第二部分中，控制逻辑提供升压电压作为相邻字线电压。
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公开(公告)号：CN118298891A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410008139.4
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 提供字线缺陷检测电路、字线缺陷检测方法和存储器装置。所述字线缺陷检测电路被配置为检测从存储器装置的多条字线之中选择的至少一条字线的缺陷，所述字线缺陷检测电路包括：电流生成电路，被配置为生成具有第一大小的检测参考电流并将检测参考电流施加到被选字线；以及感测放大器，被配置为测量基于检测参考电流而生成的被选字线的电压。所述字线缺陷检测电路可被配置为响应于被选字线的所述电压具有小于第一参考电压的值而检测到被选字线的缺陷。
