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公开(公告)号：CN1551476A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410002935.X
申请日：2004-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M7/53873
Abstract: 一种电机电源，具有突入电流保护模式、电机驱动模式、过压保护模式和动态制动模式。在突入电流保护模式中，第一电阻限制突入电流流入电容，该电容在电机驱动模式期间平滑整流器的输出，以向变流器提供直流电压。在过压保护模式中，第一电阻用于与开关元件结合，以可控地对过量的电压进行放电，这种过量的电压可能由于通过变流器流回电机，而从电机再生出能量，进而施加在电容上。在驱动模式期间，变流器的输入与直流电压连接，而在动态制动模式期间，变流器的输入与第二电阻连接，该第二电阻可耗散由电机再生的能量。控制器控制多触点继电器和开关元件，以实现各种工作模式。
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公开(公告)号：CN110334886B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910145828.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06Q10/063 , G06Q10/20 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 提供了设备诊断系统和方法，其使用设备的异常数据和正常数据，并准确有效地执行对设备的诊断。该设备诊断系统包括：数据采集单元，用于采集设备的时间序列数据；预处理单元，通过傅里叶变换将时间序列数据转换为包括时间分量的频率数据；深度学习单元，通过卷积神经网络(CNN)通过使用频率数据执行深度学习；以及诊断单元，基于深度学习将设备的状态确定为正常状态或故障状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111215387A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910567532.6
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了清洁半导体设备的方法和半导体设备管理系统。所述清洁半导体设备的方法包括：监控半导体设备的管道中的流体的状态；通过使用借助监控收集的数据来构建数据库；基于通过监控收集并储存在数据库的数据来诊断管道的状态；以及在管道的状态被诊断为异常时通过使用超声波来清洁管道。通过使用至少两个超声波发生器来清洁管道。
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公开(公告)号：CN110896039B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910467049.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/265 , G01N27/62
Abstract: 提供了一种晶圆质量检测方法和设备以及半导体器件制造方法，所述检测晶圆质量的方法包括：在离子注入工艺中使用离子束将离子注入到晶圆中，通过使用法拉第杯收集关于离子束的数据，从关于离子束的数据中提取第一数据，从第一数据中提取晶圆段，从晶圆段计算晶圆的特征值，以及通过对特征值与预定阈值或范围进行比较来评估晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN110896039A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910467049.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/265 , G01N27/62
Abstract: 提供了一种晶圆质量检测方法和设备以及半导体器件制造方法，所述检测晶圆质量的方法包括：在离子注入工艺中使用离子束将离子注入到晶圆中，通过使用法拉第杯收集关于离子束的数据，从关于离子束的数据中提取第一数据，从第一数据中提取晶圆段，从晶圆段计算晶圆的特征值，以及通过对特征值与预定阈值或范围进行比较来评估晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN110334886A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910145828.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 提供了设备诊断系统和方法，其使用设备的异常数据和正常数据，并准确有效地执行对设备的诊断。该设备诊断系统包括：数据采集单元，用于采集设备的时间序列数据；预处理单元，通过傅里叶变换将时间序列数据转换为包括时间分量的频率数据；深度学习单元，通过卷积神经网络(CNN)通过使用频率数据执行深度学习；以及诊断单元，基于深度学习将设备的状态确定为正常状态或故障状态。
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公开(公告)号：CN100347942C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410002935.X
申请日：2004-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M7/53873
Abstract: 一种电机电源，具有突入电流保护模式、电机驱动模式、过压保护模式和动态制动模式。在突入电流保护模式中，第一电阻限制突入电流流入电容，该电容在电机驱动模式期间平滑整流器的输出，以向变流器提供直流电压。在过压保护模式中，第一电阻用于与开关元件结合，以可控地对过量的电压进行放电，这种过量的电压可能由于通过变流器流回电机，而从电机再生出能量，进而施加在电容上。在驱动模式期间，变流器的输入与直流电压连接，而在动态制动模式期间，变流器的输入与第二电阻连接，该第二电阻可耗散由电机再生的能量。控制器控制多触点继电器和开关元件，以实现各种工作模式。
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