公开(公告)号：CN110896039B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201910467049.0

申请日：2019-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔锺贤 ,  文释培 ,  崔宰赫 ,  朴元基 ,  徐钟辉

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  G01N27/62

Abstract: 提供了一种晶圆质量检测方法和设备以及半导体器件制造方法，所述检测晶圆质量的方法包括：在离子注入工艺中使用离子束将离子注入到晶圆中，通过使用法拉第杯收集关于离子束的数据，从关于离子束的数据中提取第一数据，从第一数据中提取晶圆段，从晶圆段计算晶圆的特征值，以及通过对特征值与预定阈值或范围进行比较来评估晶圆的质量。

公开(公告)号：CN110896039A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910467049.0

申请日：2019-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔锺贤 ,  文释培 ,  崔宰赫 ,  朴元基 ,  徐钟辉

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  G01N27/62

Abstract: 提供了一种晶圆质量检测方法和设备以及半导体器件制造方法，所述检测晶圆质量的方法包括：在离子注入工艺中使用离子束将离子注入到晶圆中，通过使用法拉第杯收集关于离子束的数据，从关于离子束的数据中提取第一数据，从第一数据中提取晶圆段，从晶圆段计算晶圆的特征值，以及通过对特征值与预定阈值或范围进行比较来评估晶圆的质量。