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公开(公告)号:CN101114657B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200710138129.9
申请日:2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G03F1/38 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2001/133388 , G02F2001/136236
Abstract: 一种显示面板包括:基板、信号线、薄膜晶体管、像素电极和伪开口。基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域。信号线位于基板上,并彼此相交以限定单位像素。薄膜晶体管与信号线电连接,并位于单位像素处。像素电极与薄膜晶体管电连接。像素电极形成在单位像素中。伪开口位于外围区域处,并与信号线分隔开。
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公开(公告)号:CN101241918A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810009906.4
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明公开了一种显示基底及该显示基底的制造方法。该显示基底包括:接触电极,设置在开关元件的端部上,开关元件设置在基体基底上;半导体图案,包括突出,所述突出设置在接触电极的下面并突出超过接触电极;透明电极,与接触电极和所述突出接触。
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公开(公告)号:CN102157451A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110029299.X
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明公开了一种显示基底的制造方法。该方法包括:在基体基底上顺序地形成沟道层和源极金属层;形成包括第一厚度部分和第二厚度部分的第一光致抗蚀剂图案,第一厚度部分形成在源极金属层的接触区域中,第二厚度部分形成在源极金属层的端部区域中,所述端部区域连接到接触区域,第二厚度部分比第一厚度部分薄;利用第一光致抗蚀剂图案将源极金属层和沟道层图案化,以形成接触电极和突出,接触电极在接触区域上,所述突出突出超过接触电极并从接触区域延伸到所述端部区域;在基体基底上形成钝化层;形成透明电极层,透明电极层与接触电极的被暴露的部分接触,通过去除钝化层的与接触电极和所述突出对应的部分来暴露接触电极的所述被暴露的部分。
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公开(公告)号:CN101241918B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200810009906.4
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明公开了一种显示基底及该显示基底的制造方法。该显示基底包括:接触电极,设置在开关元件的端部上,开关元件设置在基体基底上;半导体图案,包括突出,所述突出设置在接触电极的下面并突出超过接触电极;透明电极,与接触电极和所述突出接触。
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公开(公告)号:CN101114657A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200710138129.9
申请日:2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G03F1/14 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2001/133388 , G02F2001/136236
Abstract: 一种显示面板包括:基板、信号线、薄膜晶体管、像素电极和伪开口。基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域。信号线位于基板上,并彼此相交以限定单位像素。薄膜晶体管与信号线电连接,并位于单位像素处。像素电极与薄膜晶体管电连接。像素电极形成在单位像素中。伪开口位于外围区域处,并与信号线分隔开。
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