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公开(公告)号：CN117936350A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311212162.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 萨拉·库玛 , 朴海利 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克
Abstract: 提供了等离子体装置、光学诊断系统和执行单分子检测的方法。所述等离子体装置包括沿着第一方向和第二方向延伸的支撑层、在所述支撑层上的绝缘层、以及在所述绝缘层上并且限定沿着所述第一方向延伸的腔的等离子体层，所述腔具有三维(3D)锥形结构并且被配置为使电磁场沿着所述第一方向传播并将所述电磁场聚集在所述腔的尖端处，其中，所述支撑层、所述绝缘层和所述等离子体层在其中限定开口，所述开口位于所述腔的所述尖端处并且被配置为使存在于所述等离子体层上的溶液的靶分子穿过。
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公开(公告)号：CN118169897A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311660778.0
申请日：2023-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴海利 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 玛莎·拖芬 , 王一兵
IPC: G02B27/42
Abstract: 提供了片上纳米级衍射光学元件及其制造方法。所述衍射光学元件(DOE)包括基底层；以及包括纳米结构的纳米结构层，纳米结构具有在目标波长λ的0.75λ至3λ的范围内的预定周期性。纳米结构是形成在基底层的表面上的柱状纳米结构、形成在基底层中的孔或它们的组合。至少一个纳米结构具有圆形、椭圆形、正方形或矩形的平面视图剖面形状。至少一个纳米结构的平面视图剖面形状包括倒圆拐角，倒圆拐角具有基于由DOE产生的衍射图案的期望光点强度非均匀性而选择的拐角半径。当纳米结构为柱状时，纳米结构的折射率大于基底层的折射率。当纳米结构为孔时，纳米结构的折射率小于基底层的折射率。
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公开(公告)号：CN115537316A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210743912.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 维纳亚克·纳拉辛汉 , 王一兵 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克
Abstract: 公开用于核酸扩增的系统和方法。用于核酸(NA)扩增的系统包括：光源，被配置为基于控制信号发射第一激发光；反应室，被配置为容纳包括多个第一核酸(NA)的溶液，所述多个第一NA被配置为响应于第一激发光而扩增，所述溶液被配置为：响应于通过第一激发光的加热而发射第二光，并且响应于所述多个第一NA的扩增而发射第三光；检测器，被配置为：检测第二光和第三光，并且产生与第二光对应的温度信号和与第三光对应的第一荧光信号；以及透镜模块，被配置为将第二光和第三光聚焦到检测器上。
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公开(公告)号：CN113810568A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110585605.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 一兵·米歇尔·王 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 金矿旿
IPC: H04N5/225
Abstract: 提供了一种相机系统。该相机系统包括两个或更多个传感器阵列和光路。传感器阵列位于同一传感器芯片上。每个传感器阵列与每个其他传感器阵列包括相同的视场(FOV)。光路包括由每个传感器阵列共享的主透镜和超透镜以及与每个传感器阵列相关联的微透镜。超透镜将入射光分成不同的光谱，并将每个相应的光谱定向到对应的传感器阵列。不同的光谱包括可见光、近红外光、短波红外和长波红外中的至少两种，并且至少一个传感器阵列包括单光子雪崩二极管。提供图像处理、对象识别和对象跟踪和/或图像融合功能的图像处理器可以与传感器阵列位于同一传感器芯片上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113805257A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110535843.1
申请日：2021-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 一兵·米歇尔·王 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克
Abstract: 公开了一种用于传感系统的渐进式超透镜。所述超透镜包括纳米结构的一个或多个区域。纳米结构的第一区域将入射在纳米结构的第一区域上的光的第一视场(FOV)引导到图像平面的第一区域。纳米结构的第二区域将入射在纳米结构的第二区域上的光的第二FOV引导到图像平面的第二区域，其中，第二FOV不同于第一FOV，图像平面的第二区域不同于图像平面的第一区域。纳米结构的第三区域将光的第三FOV引导到图像平面的第三区域，其中，第三FOV不同于第一FOV和第二FOV，图像平面的第三区域不同于图像平面的第一区域和第二区域。
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公开(公告)号：CN113442541A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110193736.5
申请日：2021-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 王一兵
IPC: B32B33/00
Abstract: 公开了一种增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法，所述表面涂层被构造为使入射在表面涂层上的紫外光的紫外光密度局部增强。表面涂层包括介电层、位于介电层上的导电层、位于介电层和导电层中的一系列纳米开口、位于所述一系列纳米开口中的一系列纳米天线以及位于所述一系列纳米天线与导电层之间的介电间隙。导电层和纳米天线都包括UV等离子体材料。
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公开(公告)号：CN113138021A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110012749.8
申请日：2021-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 丹尼尔·阿桑姆普考
Abstract: 提供了一种色散阵列及其制造方法。光学光谱仪可以用来确定电磁波的光谱分量。光谱仪可以是大型、体积庞大的装置，并且为了记录测量值，可能需要波以几乎直角的入射进入。公开了一种采用光色散技术的具有纳米光子组件超紧凑型光谱仪。纳米光子组件可以包含超表面和布拉格滤波器。每个超表面可以包含可以被随机化以产生大输入角的光散射纳米结构，布拉格滤波器可以导致与输入角度无关的光色散。光谱仪可以能够处理约200nm的带宽。超紧凑型光谱仪可以能够读取可见光(400nm至600nm)内的图像数据，并且能够读取近红外(700nm至900nm)波长范围内的光谱数据。光谱仪的表面积可以为约1mm2，从而使其适合移动装置。
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公开(公告)号：CN113810631A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110325415.6
申请日：2021-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金鑛旿 , 王一兵 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克
Abstract: 公开了图像传感器和图像传感器的像素。所述图像传感器的像素包括电阻式微测辐射热计传感器部、可见光图像传感器部和输出路径。电阻式微测辐射热计传感器部输出与由电阻式微测辐射热计传感器部感测的红外(IR)图像对应的信号。电阻式微测辐射热计传感器部不使用偏置电流。可见光图像传感器部输出与由可见光图像传感器部感测的可见光图像对应的信号。输出路径被电阻式微测辐射热计传感器部和可见光图像传感器部共享，并且可被控制以选择性地输出与IR图像对应的信号、与可见光图像对应的信号、或基于IR图像和可见光图像的融合图像。电阻式微测辐射热计传感器部可感测近红外图像或长波红外图像。
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公开(公告)号：CN113495314A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110239235.6
申请日：2021-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 朴海利
Abstract: 提供了一种偏振装置，所述偏振装置包括提供片上同时全斯托克斯偏振参数(线偏振和圆偏振)和多/高光谱成像的偏振滤光器和光谱滤光器。偏振滤光器使入射光偏振到预定线性方向上。光偏振滤光器包括线栅和相位调制纳米结构的阵列。线栅包括至少一条线，所述至少一条线包括一系列的金属‑绝缘体‑金属线结构。相位调制纳米结构的阵列形成在线栅上，并且将入射光的相位改变预定量。相位调制纳米结构是基于相位调制纳米结构的第一宽度和第二宽度来改变入射光的高介电指数纳米结构，其中，第一宽度垂直于第二宽度。
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