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公开(公告)号：CN118169897A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311660778.0
申请日：2023-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴海利 , 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 玛莎·拖芬 , 王一兵
IPC: G02B27/42
Abstract: 提供了片上纳米级衍射光学元件及其制造方法。所述衍射光学元件(DOE)包括基底层；以及包括纳米结构的纳米结构层，纳米结构具有在目标波长λ的0.75λ至3λ的范围内的预定周期性。纳米结构是形成在基底层的表面上的柱状纳米结构、形成在基底层中的孔或它们的组合。至少一个纳米结构具有圆形、椭圆形、正方形或矩形的平面视图剖面形状。至少一个纳米结构的平面视图剖面形状包括倒圆拐角，倒圆拐角具有基于由DOE产生的衍射图案的期望光点强度非均匀性而选择的拐角半径。当纳米结构为柱状时，纳米结构的折射率大于基底层的折射率。当纳米结构为孔时，纳米结构的折射率小于基底层的折射率。
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