公开(公告)号：CN119153415A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410057989.3

申请日：2024-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐永官

IPC: H01L23/31 ,  H10B80/00

Abstract: 半导体封装可以包括：基底半导体芯片；连接半导体芯片，在基底半导体芯片上；上半导体芯片，在连接半导体芯片上；填充层，在上半导体芯片中的沟槽中；以及模制层，围绕上半导体芯片延伸。

公开(公告)号：CN111063678A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910971115.8

申请日：2019-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡昇训 ,  文昭渊 ,  徐永官 ,  李廷炫 ,  赵兮英

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；无源组件，与所述半导体芯片并排设置，并且具有连接电极；以及连接结构，位于所述无源组件的下表面上。所述连接结构包括：第一金属层，电连接到所述连接电极；第二金属层，与所述第一金属层位于相同高度上并且与所述第一金属层相邻设置；以及布线绝缘层，具有绝缘区域，所述绝缘区域填充所述第一金属层和所述第二金属层之间的空间并且沿一个方向延伸。所述绝缘区域的最小宽度被称为第一宽度，并且所述无源组件的一端与所述绝缘区域的一端之间在相同高度上的最短距离被称为间隔距离，所述间隔距离可以为所述第一宽度的两倍或更多倍。

公开(公告)号：CN111106083A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910890964.0

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐永官 ,  文昭渊 ,  蔡昇训

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及互连结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述互连结构包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第一重新分布层以及设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层的第二绝缘层，所述第一重新分布层电连接到所述连接垫，当所述第一重新分布层的厚度为a且所述第一重新分布层的图案之间的间隙为b时，b/a为4或更小。

公开(公告)号：CN112951795A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011413690.5

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡昇训 ,  徐永官 ,  李在彦 ,  文昭渊 ,  赵兮英 ,  徐一钟

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布衬底，具有第一表面和第二表面，以及绝缘构件和在所述绝缘构件中设置在不同水平高度并且电连接到一起的多个再分布层；多个凸块下金属(UBM)焊盘，位于所述绝缘构件中并且连接到所述多个再分布层当中的与所述第一表面相邻的再分布层，所述多个UBM焊盘具有暴露于所述再分布衬底的所述第一表面的下表面；虚设图案，在所述绝缘构件中位于所述UBM焊盘之间，所述虚设图案的下表面位于比所述UBM焊盘的下表面高的水平高度处；以及至少一个半导体芯片，位于所述再分布衬底的所述第二表面上，并且具有电连接到所述多个再分布衬底当中的与所述第二表面相邻的再分布层的多个接触焊盘。