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发明公开
半导体封装件审中-实审

公开(公告)号：CN112951795A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011413690.5

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡昇训 , 徐永官 , 李在彦 , 文昭渊 , 赵兮英 , 徐一钟

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布衬底，具有第一表面和第二表面，以及绝缘构件和在所述绝缘构件中设置在不同水平高度并且电连接到一起的多个再分布层；多个凸块下金属(UBM)焊盘，位于所述绝缘构件中并且连接到所述多个再分布层当中的与所述第一表面相邻的再分布层，所述多个UBM焊盘具有暴露于所述再分布衬底的所述第一表面的下表面；虚设图案，在所述绝缘构件中位于所述UBM焊盘之间，所述虚设图案的下表面位于比所述UBM焊盘的下表面高的水平高度处；以及至少一个半导体芯片，位于所述再分布衬底的所述第二表面上，并且具有电连接到所述多个再分布衬底当中的与所述第二表面相邻的再分布层的多个接触焊盘。

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