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发明公开
制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115083907A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202111529079.3

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贤璂 , 金德南 , 裵根熙 , 孙世一 , 柳光浩 , 张哲仁

IPC: H01L21/311 , H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层和第一间隔物；在所述第二掩模层上形成光刻胶图案；通过经由第一蚀刻工艺来图案化所述第二掩模层而形成第二掩模图案；通过经由第二蚀刻工艺来图案化所述第一掩模层而形成第一掩模图案；通过经由第三蚀刻工艺来蚀刻所述层间绝缘层的一部分而形成沟槽；以及在所述沟槽中形成互连图案。第一掩模图案在所述第二蚀刻工艺之后的宽度小于光刻胶图案的宽度。

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