公开(公告)号：CN103367449B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201310117686.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张勋 ,  张东殷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H03K17/687

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件可以包括衬底和衬底上的晶体管。半导体器件可以包括在与晶体管相邻的衬底中的第一传导类型的第一保护环。半导体器件可以包括在与第一保护环相邻的衬底中的、与第一传导类型相反的第二传导类型的第二保护环。还提供了相关的半导体系统。

公开(公告)号：CN103367449A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310117686.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张勋 ,  张东殷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H03K17/687

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件可以包括衬底和衬底上的晶体管。半导体器件可以包括在与晶体管相邻的衬底中的第一传导类型的第一保护环。半导体器件可以包括在与第一保护环相邻的衬底中的、与第一传导类型相反的第二传导类型的第二保护环。还提供了相关的半导体系统。