公开(公告)号：CN102376598A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229962.0

申请日：2011-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑泰敬 ,  安殷徹 ,  李宜珩 ,  李相熙

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种用于晶片级突起回流的设备、系统和方法。一种用于形成晶片级突起的方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；在第一表面面朝下的同时，对预突起执行突起回流工艺，从而形成突起。