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发明公开
基于椭偏成像的检查方法以及制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN112289696A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010353965.4

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明俊 , 金郁来 , 郑在晃 , 安明基

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种基于椭偏成像(IE)的检查方法以及制造半导体器件的方法。所述检查方法包括：从基于IE的检查装置的具有第一视场(FOV)的第一模式和具有第二FOV的第二模式中选择一种模式；基于所选择的模式通过所述基于IE的检查装置测量检查目标；以及基于测量结果确定所述检查目标是否正常，其中，所述的测量检查目标包括同时测量在所述检查目标的区域中设置的多个单元中包括的图案，所述区域对应于所选择的模式的FOV。

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