公开(公告)号：CN113838859A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110273389.7

申请日：2021-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪智硕 ,  李相昊 ,  朴瑞龙 ,  安志荣 ,  李基硕 ,  李基硕 ,  崔允荣 ,  韩昇煜

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L23/522

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；位线，在衬底上沿水平方向延伸；直接接触部，连接在从多个有源区中选择的第一有源区与所述位线之间；内部氧化物层，接触直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述位线的侧壁上沿竖直方向非线性地延伸，含碳氧化物层接触所述位线的侧壁。

公开(公告)号：CN114464621A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111305601.X

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李埈圭 ,  安志荣 ,  金铉用 ,  具滋玟 ,  安容奭 ,  严敏燮 ,  李相昊 ,  崔允荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底上的有源图案、掩埋在有源图案的上部处的栅极结构、在有源图案上的位线结构、覆盖位线结构的下侧壁的下间隔物结构、在有源图案上且与位线结构相邻的接触插塞结构、以及在接触插塞结构上的电容器。下间隔物结构包括从位线结构的下侧壁在基本平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的第一和第二下间隔物，第一下间隔物包括氧化物，并接触位线结构的下侧壁，但不接触接触插塞结构，并且第二下间隔物包括与第一下间隔物的任何材料不同的材料。

公开(公告)号：CN113809146A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110222725.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安志荣 ,  韩昇煜 ,  金成焕 ,  朴瑞龙 ,  李基硕 ,  崔允荣 ,  韩泰熙 ,  洪智硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。

公开(公告)号：CN215220720U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202121340577.9

申请日：2021-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安志荣 ,  韩昇煜 ,  金成焕 ,  朴瑞龙 ,  李基硕 ,  崔允荣 ,  韩泰熙 ,  洪智硕

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。