公开(公告)号：CN117015237A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310419987.X

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙完基 ,  姜敬奂 ,  裵圣贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，在彼此交叉的第一方向和第二方向中的每个方向上延伸；以及存储图案，设置在衬底上，并且在第一方向和第二方向中的每个方向上彼此间隔开。每个存储图案在与由第一方向和第二方向限定的平面相交的第三方向上延伸，并且包括与存储接触当中的相应的存储接触相接触的面。每个存储图案的面具有沿着第一方向的第一宽度和沿着第二方向的第二宽度。存储图案的面的第一宽度在第一方向上相对于彼此增大，而相邻的存储图案之间的在第一方向上的间隔在第一方向上相对于彼此减小。

公开(公告)号：CN111180444B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910831430.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙完基

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：多个下电极，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个下电极的侧壁接触并支撑所述多个下电极。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域设置在所述第一支撑区域的外围处。多个开口可以分别贯穿整个第一支撑区域以Z字形方式连续延伸。

公开(公告)号：CN111180444A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910831430.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙完基

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件，包括：多个下电极，在第一方向和以锐角与所述第一方向相交的第二方向上以第一间距重复地布置在衬底上；以及支撑图案，与所述多个下电极的侧壁接触并支撑所述多个下电极。所述支撑图案包括第一支撑区域和第二支撑区域，所述第一支撑区域具有穿透所述支撑图案的多个开口，且所述第二支撑区域设置在所述第一支撑区域的外围处。多个开口可以分别贯穿整个第一支撑区域以Z字形方式连续延伸。

公开(公告)号：CN116776805A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202211616528.2

申请日：2022-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙完基 ,  朴东辰 ,  裵成炫 ,  张准荣

IPC: G06F30/392

Abstract: 提供了一种用于基于第一输入和修改输入生成布局图形的布局设计工具、一种修改布局的方法和一种半导体制造系统。所述布局设计工具包括处理电路，所述处理电路基于所述第一输入生成其中图案被脚本化的临时布局并且基于所述修改输入修改所述临时布局以生成所述布局图形，以及所述处理电路基于所述修改输入在所述临时布局上指定要修改的多个修改区域并且在背景层上指定多个变换区域，所述临时布局的所述多个修改区域包括具有相同形状的图案组，并且所述布局设计工具通过提取包括在所述多个修改区域中的任何一个修改区域中的所述图案组来生成图案层并且通过将所述图案层布设在所述背景层的所述多个变换区域上来生成所述布局图形。

公开(公告)号：CN115312530A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210067996.2

申请日：2022-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈正燮 ,  朴智慧 ,  孙完基 ,  韩银洙

IPC: H01L27/11565

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底；位于所述衬底上的多个下电极；和支撑结构。所述多个下电极可以沿垂直于所述衬底的顶表面的第一方向延伸。所述支撑结构可以具有平板形状。所述支撑结构可以接触所述多个下电极的侧表面，并且可以支撑所述多个下电极。所述支撑结构可以包括第一部分和第二部分。所述第一部分可以包括以第一节距重复的多个第一开口。所述第二部分可以包括以不同于所述第一节距的第二节距重复的多个第二开口。