公开(公告)号：CN113838862A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110691772.4

申请日：2021-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  姜景文 ,  洪慧垠

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种集成电路装置，包括：外围电路结构，其布置在衬底上；栅极堆叠件，其布置在外围电路结构上，并且包括多个栅电极；以及坝结构，其形成在穿过栅极堆叠件的坝开口部分中。坝结构包括：绝缘间隔件，其位于坝开口部分的内壁处，并且包括位于坝开口部分的上侧处的一对倾斜侧壁；以及掩埋层，其填充坝开口部分的内部，并且包括空气空间。集成电路装置还包括：模制栅极堆叠件，其被坝结构围绕，并且包括多个模制层；多条导电线，其布置在栅极堆叠件上；以及多个贯通电极，其连接至多条导电线，穿过模制栅极堆叠件，并且被坝结构围绕。

公开(公告)号：CN113497047A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110333814.7

申请日：2021-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  姜景文 ,  徐周延 ,  洪慧垠

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，彼此间隔开并在衬底上；穿透栅电极的沟道结构，每个沟道结构包括沟道层、在沟道层与栅电极之间的栅极电介质层、填充沟道层中的空间的沟道绝缘层和在沟道绝缘层上的沟道垫；以及分隔区域，穿透栅电极并彼此间隔开，其中栅极电介质层相比于沟道层进一步向上延伸，使得栅极电介质层的内侧表面的一部分接触沟道垫，沟道垫包括：下垫，在沟道层的上端和栅极电介质层的内侧表面上并在栅极电介质层的内侧表面之间具有第一凹陷；以及上垫，具有在第一凹陷中的第一部分和在第一部分上沿平行于衬底的上表面的方向从第一部分扩展的第二部分。