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公开(公告)号：CN113497047A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110333814.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，彼此间隔开并在衬底上；穿透栅电极的沟道结构，每个沟道结构包括沟道层、在沟道层与栅电极之间的栅极电介质层、填充沟道层中的空间的沟道绝缘层和在沟道绝缘层上的沟道垫；以及分隔区域，穿透栅电极并彼此间隔开，其中栅极电介质层相比于沟道层进一步向上延伸，使得栅极电介质层的内侧表面的一部分接触沟道垫，沟道垫包括：下垫，在沟道层的上端和栅极电介质层的内侧表面上并在栅极电介质层的内侧表面之间具有第一凹陷；以及上垫，具有在第一凹陷中的第一部分和在第一部分上沿平行于衬底的上表面的方向从第一部分扩展的第二部分。
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