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公开(公告)号：CN107564557A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710505338.6
申请日：2017-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G06F1/3296 , G06F1/3275 , G06F1/3287 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C7/1084 , G11C29/021 , G11C29/022 , G11C29/028 , Y02D10/14
Abstract: 提供一种接收接口电路和包括接收接口电路的存储器系统。所述接收接口电路包括：接收缓冲器、电压产生电路和接收限制电路。接收缓冲器通过输入-输出节点接收输入信号以产生缓冲信号。电压产生电路基于在输入-输出节点的反射特性产生至少一个控制电压。接收限制电路连接到输入-输出节点，并基于所述至少一个控制电压，限制输入信号的最大电压电平和最小电压电平中的至少一个。可通过使用接收限制电路基于在输入-输出节点的反射特性来限制输入信号的最大电压电平和最小电压电平中的至少一个，来降低功耗，并且相比于具有相同功耗的传统终结电路，可提供增加的眼图容限。
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公开(公告)号：CN107274921A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710211305.0
申请日：2017-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/4401 , G11C5/147
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置、一种存储器系统和一种半导体装置的基准电压自训练方法。所述半导体装置至少包括第一存储器芯片，所述第一存储器芯片至少包括：连接为接收输入信号和基准电压的第一缓冲器；第一基准电压发生器，其构造为基于第一控制代码输出基准电压；以及第一自训练电路，用于确定在半导体装置的正常操作模式期间使用的工作基准电压。来自第一缓冲器的输出被输入至第一自训练电路，将第一控制代码从第一自训练电路输出到第一基准电压发生器中，并且第一缓冲器、第一自训练电路和第一基准电压发生器形成回路。
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公开(公告)号：CN107274922A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710203098.4
申请日：2017-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: H03H7/38 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/022 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/50008 , G11C2207/105 , H03K19/0005 , H03K19/017545 , G11C7/10
Abstract: 一种非易失性存储器设备包括第一存储器结构。第一存储器结构包括可经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片。M是等于或大于2的自然数。第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作在数据写入操作被对于第一至第N存储器裸片之一执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作的第一代表性裸片。
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