公开(公告)号：CN1265929C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02106522.5

申请日：2002-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全柏均 ,  秋大镐 ,  南亨佑 ,  权容俊

IPC: B23K26/00

Abstract: 本发明公开了一种用于切割非金属基片的方法。该方法利用对指定切割线进行快速加热和冷却所产生的热应力来将非金属基片上的该指定切割线切开。另外，本发明对能量源的形状和排列等指标进行了优化，由此可将对非金属基片的切割速度达到最大，并实现对非金属基片的精确切割。

公开(公告)号：CN1268466C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN01125569.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋大镐 ,  全栢均 ,  南亨佑

IPC: B23K26/00 ,  B26F3/06 ,  C03B33/08 ,  H05K13/00

CPC classification number: C03B33/093 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B28D1/221 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78

Abstract: 公开了一种用于通过激光切割非金属基片的方法和装置。在该方法和装置中，用于断开非金属基片的分子键的第一激光束在形成于非金属基片上的切割路径上扫描以形成具有理想深度的裂纹的划线。然后，第二激光束沿着第一激光束的扫描路径扫描，以在基片的深度方向扩展裂纹，并完全分开非金属基片。由于切割速度可以由第一激光束的速度控制，与利用由加热操作和冷却操作造成的温度差的传统切割方法相比，切割速度可以提高，并且切割速度可以容易地加以控制。

公开(公告)号：CN1408498A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02106522.5

申请日：2002-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全柏均 ,  秋大镐 ,  南亨佑 ,  权容俊

IPC: B23K26/00

Abstract: 本发明公开了一种用于切割非金属基片的方法。该方法利用对指定切割线进行快速加热和冷却所产生的热应力来将非金属基片上的该指定切割线切开。另外，本发明对能量源的形状和排列等指标进行了优化，由此可将对非金属基片的切割速度达到最大，并实现对非金属基片的精确切割。

公开(公告)号：CN1386606A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN01125569.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋大镐 ,  全栢均 ,  南亨佑

IPC: B23K26/00 ,  B26F3/06 ,  C03B33/08 ,  H05K13/00

CPC classification number: C03B33/093 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B28D1/221 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78

Abstract: 公开了一种用于通过激光切割非金属基片的方法和装置。在该方法和装置中,用于断开非金属基片的分子键的第一激光束在形成于非金属基片上的切割路径上扫描以形成具有理想深度的裂纹的划线。然后,第二激光束沿着第一激光束的扫描路径扫描,以在基片的深度方向扩展裂纹,并完全分开非金属基片。由于切割速度可以由第一激光束的速度控制,与利用由加热操作和冷却操作造成的温度差的传统切割方法相比,切割速度可以提高,并且切割速度可以容易地加以控制。

公开(公告)号：CN100421860C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN01140821.9

申请日：2001-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南亨佑 ,  秋大镐 ,  全栢均

IPC: B23K26/00

CPC classification number: B23K26/0673 ,  B23K26/067 ,  B23K26/146 ,  C03B33/093 ,  C03B33/102 ,  G02F1/133351 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明公开了通过激光束一次照射而将基片多重切割成多个单元的方法和装置。至少两个光反射率/透射率控制板放置在光通过的路径上，以便光反射率/透射率根据所产生的光线与该板之间的夹角变化。基片的多个表面部分被同时加热，并然后被喷射的冷却剂冷却，以便基片被同时切割成多个单元，结果，显著缩短了切割时间，并提高了生产率。

公开(公告)号：CN1196562C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01112150.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南亨佑 ,  秋大镐 ,  全栢均

IPC: B23K26/38 ,  H01L21/304

Abstract: 一种切割非金属衬底的装置和方法。一个激光束产生装置向在衬底内的切割路线产生第一激光束用来加热切割路线，形成一划痕线。激光束产生装置还产生第二激光束，它与第一激光束间隔一预定距离，沿第一激光束的发射路线形成一光栅。一冷却装置将一冷流体束施加在切割路线上形成一个裂缝，用一光栅切割非金属衬底，所以使光学系统简单化。在划痕线中产生一个大的张力，立刻完全切割厚的非金属衬底。

公开(公告)号：CN1393317A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN01140821.9

申请日：2001-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南亨佑 ,  秋大镐 ,  全栢均

IPC: B23K26/00

CPC classification number: B23K26/0673 ,  B23K26/067 ,  B23K26/146 ,  C03B33/093 ,  C03B33/102 ,  G02F1/133351 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明公开了通过激光束一次照射而将基片多重切割成多个单元的方法和装置。至少两个光反射率/透射率控制板放置在光通过的路径上，以便光反射率/透射率根据所产生的光线与该板之间的夹角变化。基片的多个表面部分被同时加热，并然后被喷射的冷却剂冷却，以便基片被同时切割成多个单元，结果，显著缩短了切割时间，并提高了生产率。

公开(公告)号：CN1349875A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01112150.5

申请日：2001-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南亨佑 ,  秋大镐 ,  全栢均

IPC: B23K26/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

Abstract: 一种切割非金属衬底的装置和方法。一个激光束产生装置向在衬底内的切割路线产生第一激光束用来加热切割路线,形成一划痕线。激光束产生装置还产生第二激光束,它与第一激光束间隔一预定距离,沿第一激光束的发射路线形成一光栅。一冷却装置将一冷流体束施加在切割路线上形成一个裂缝,用一光栅切割非金属衬底,所以使光学系统简单化。在划痕线中产生一个大的张力,立刻完全切割厚的非金属衬底。