公开(公告)号：CN107532322A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680024676.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 柳响介 ,  沟口美智 ,  朝长咲子

IPC: C25D7/06 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D5/16 ,  H05K3/38

CPC classification number: B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D5/16 ,  C25D7/06 ,  H05K3/38

Abstract: 提供一种铜箔，其在高频用途中的传输损耗良好、并且即使对液晶聚合物薄膜那样的不能期待化学密合的绝缘树脂基材也能呈现出高的剥离强度。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有具备粗糙化颗粒的粗糙化处理面，粗糙化处理面具有0.6～1.7μm的微观不平度十点高度Rzjis，并且粗糙化颗粒的高度的频率分布中的半值宽度为0.9μm以下。

公开(公告)号：CN107532322B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201680024676.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 柳响介 ,  沟口美智 ,  朝长咲子

IPC: C25D7/06 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D5/16 ,  H05K3/38

CPC classification number: B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C25D5/16 ,  C25D7/06 ,  H05K3/38

Abstract: 提供一种铜箔，其在高频用途中的传输损耗良好、并且即使对液晶聚合物薄膜那样的不能期待化学密合的绝缘树脂基材也能呈现出高的剥离强度。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有具备粗糙化颗粒的粗糙化处理面，粗糙化处理面具有0.6～1.7μm的微观不平度十点高度Rzjis，并且粗糙化颗粒的高度的频率分布中的半值宽度为0.9μm以下。