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公开(公告)号：CN100372639C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510082650.6
申请日：2005-07-06
Applicant: 三井化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B22F9/22
Abstract: 本发明涉及制造在低于或等于1600℃的温度也可以制成烧结体的氮化铝粉末，获得密度和热传导率高、可以适用于基板材料的氮化铝烧结体。使用如图1所示气相反应装置，反应器(2)由加热带(1)进行加热并保持在300～500℃，一边由流量调节计(3)调节，一边通过供给管(4)向反应器(2)导入氨气，同时，一边通过流量调节计(5)调节，一边通过供应管(6)导入含有机铝化合物的氮气，从而得到氮化铝粉末。将其在还原性气体氛围和/或惰性气体氛围中在1100～1500℃进行热处理，对所得到氮化铝凝集粉末再经机械处理，成为比表面积值大于等于30m2/g、且平均粒子粒径与比表面积换算的粒子粒径的比率小于等于10的氮化铝粉末。
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公开(公告)号：CN1718331A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510082650.6
申请日：2005-07-06
Applicant: 三井化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B22F9/22
Abstract: 本发明涉及制造在低于或等于1600℃的温度也可以制成烧结体的氮化铝粉末，获得密度和热传导率高、可以适用于基板材料的氮化铝烧结体。使用如图1所示气相反应装置，反应器(2)由加热带(1)进行加热并保持在300～500℃，一边由流量调节计(3)调节，一边通过供给管(4)向反应器(2)导入氨气，同时，一边通过流量调节计(5)调节，一边通过供应管(6)导入含有机铝化合物的氮气。从而得到氮化铝粉末。将其在还原性气体氛围和/或惰性气体氛围中在1100～1500℃进行热处理，对所得到氮化铝凝集粉末再经机械处理，成为比表面积值大于等于30m2/g、且平均粒子粒径与比表面积换算的粒子粒径的比率小于等于10的氮化铝粉末。
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公开(公告)号：CN1238160C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03149799.3
申请日：2003-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B31/006 , B24B31/0212 , F17C2203/0604 , F17C2203/0617 , F17C2203/0636 , F17C2203/0639 , F17C2209/2172 , F17C2221/05
Abstract: 本发明涉及高压气体容器的处理方法，具体地说，涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是，使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的值在0.3以下，以改善内表面处理方法。
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公开(公告)号：CN1480295A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03149799.3
申请日：2003-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B31/006 , B24B31/0212 , F17C2203/0604 , F17C2203/0617 , F17C2203/0636 , F17C2203/0639 , F17C2209/2172 , F17C2221/05
Abstract: 本发明涉及高压气体容器的处理方法，具体地说，涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是，使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的值在0.3以下，以改善内表面处理方法。
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