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公开(公告)号：CN1303956A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00120673.7
申请日：2000-12-21
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: C25B1/245
Abstract: 本发明公开了一种电极,用于电解含有氟化铵(NH4F)－氟化氢(HF)的熔盐的电解液以制备三氟化氮(NF3)气体,该电解液具有的成分比(HF/NH4F)为1～3和一种用于制备NF3气体的电解液,以及通过使用该电极和该电解液的一种制备NF3气体的方法。该电极是镍,其含Si量为0.07重量%或更低并且还含有除镍之外的过渡族金属。该电解液也含有除镍之外的过渡族金属。
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公开(公告)号：CN1297692C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN00120673.7
申请日：2000-12-21
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电极，用于电解含有氟化铵(NH4F)-氟化氢(HF)的熔盐的电解液以制备三氟化氮(NF3)气体，该电解液具有的成分比(HF/NH4F)为1～3和一种用于制备NF3气体的电解液，以及通过使用该电极和该电解液的一种制备NF3气体的方法。该电极是镍，其含Si量为0.07重量%或更低并且还含有除镍之外的过渡族金属。该电解液也含有除镍之外的过渡族金属。
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公开(公告)号：CN1238160C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03149799.3
申请日：2003-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B31/006 , B24B31/0212 , F17C2203/0604 , F17C2203/0617 , F17C2203/0636 , F17C2203/0639 , F17C2209/2172 , F17C2221/05
Abstract: 本发明涉及高压气体容器的处理方法，具体地说，涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是，使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的值在0.3以下，以改善内表面处理方法。
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公开(公告)号：CN1480295A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03149799.3
申请日：2003-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B31/006 , B24B31/0212 , F17C2203/0604 , F17C2203/0617 , F17C2203/0636 , F17C2203/0639 , F17C2209/2172 , F17C2221/05
Abstract: 本发明涉及高压气体容器的处理方法，具体地说，涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是，使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的值在0.3以下，以改善内表面处理方法。
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