公开(公告)号：CN1238160C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03149799.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 吉川明男 ,  金山重夫 ,  原田功

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B31/006 ,  B24B31/0212 ,  F17C2203/0604 ,  F17C2203/0617 ,  F17C2203/0636 ,  F17C2203/0639 ,  F17C2209/2172 ,  F17C2221/05

Abstract: 本发明涉及高压气体容器的处理方法，具体地说，涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是，使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的值在0.3以下，以改善内表面处理方法。

公开(公告)号：CN1480295A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03149799.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 吉川明男 ,  金山重夫 ,  原田功

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B31/006 ,  B24B31/0212 ,  F17C2203/0604 ,  F17C2203/0617 ,  F17C2203/0636 ,  F17C2203/0639 ,  F17C2209/2172 ,  F17C2221/05

Abstract: 本发明涉及高压气体容器的处理方法，具体地说，涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是，使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的值在0.3以下，以改善内表面处理方法。