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公开(公告)号：CN101714491B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910253908.2
申请日：2005-04-15
申请人： 纳沃技术有限公司
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/0041 , H01J2237/026
摘要： 利用带电粒子研究或修改样品的装置。所述装置具体为扫描电子显微镜，所述样品具有样品表面，所述装置包括：带电粒子束；导电屏蔽元件，具有用于使所述带电粒子束穿过的开孔；其中所述屏蔽元件以使所述屏蔽元件不接触所述样品的距离位于所述样品上方；其中在所述屏蔽元件和所述样品表面之间的距离小于50微米，其特征在于，所述屏蔽元件的开孔在至少一个方向上的尺寸小于50微米。
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公开(公告)号：CN1839349A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480023882.8
申请日：2004-08-12
申请人： 纳沃技术有限公司
发明人： 谢尔盖·巴宾 , 克劳斯·埃丁格 , 汉斯·W·P·科普斯 , 彼得拉·施皮斯 , 托尔斯滕·霍夫曼
IPC分类号： G03F1/00 , H01J37/305 , C23F4/00 , H01L21/768
CPC分类号： G03F1/74 , H01J37/3056 , H01J2237/31744 , H01L21/31122 , H01L21/32135
摘要： 本发明涉及在真空室中蚀刻铬层的方法，该方法包括下列步骤：将卤素化合物引入真空室中，将电子束引导至待蚀刻的铬层区域上以及将含氧化合物引入到真空室中。在另一方面，本发明涉及高分辨移除金属和/或金属氧化物层的方法，所述金属和/或金属氧化物布置在绝缘体或具有较差导热性的衬底上，该方法包括下列步骤：将所述层布置在真空室内部，用具有3－30keV能量的聚焦电子束轰击所述层，其中定向电子束使得单位时间和面积的能量转移导致将所述层局部加热到其熔点和/或气化点之上，并且其中实施层的移除并没有向真空室中提供反应气体。
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公开(公告)号：CN1839349B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200480023882.8
申请日：2004-08-12
申请人： 纳沃技术有限公司
发明人： 谢尔盖·巴宾 , 克劳斯·埃丁格 , 汉斯·W·P·科普斯 , 彼得拉·施皮斯 , 托尔斯滕·霍夫曼
IPC分类号： G03F1/78 , G03F1/74 , H01J37/305 , C23F4/00 , H01L21/768
CPC分类号： G03F1/74 , H01J37/3056 , H01J2237/31744 , H01L21/31122 , H01L21/32135
摘要： 本发明涉及在真空室中蚀刻铬层的方法，该方法包括下列步骤：将卤素化合物引入真空室中，将电子束引导至待蚀刻的铬层区域上以及将含氧化合物引入到真空室中。在另一方面，本发明涉及高分辨移除金属和/或金属氧化物层的方法，所述金属和/或金属氧化物布置在绝缘体或具有较差导热性的衬底上，该方法包括下列步骤：将所述层布置在真空室内部，用具有3-30keV能量的聚焦电子束轰击所述层，其中定向电子束使得单位时间和面积的能量转移导致将所述层局部加热到其熔点和/或气化点之上，并且其中实施层的移除并没有向真空室中提供反应气体。
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公开(公告)号：CN101714491A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910253908.2
申请日：2005-04-15
申请人： 纳沃技术有限公司
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/0041 , H01J2237/026
摘要： 利用带电粒子研究或修改样品的装置。所述装置具体为扫描电子显微镜，所述样品具有样品表面，所述装置包括：带电粒子束；导电屏蔽元件，具有用于使所述带电粒子束穿过的开孔；其中所述屏蔽元件以使所述屏蔽元件不接触所述样品的距离位于所述样品上方；其中在所述屏蔽元件和所述样品表面之间的距离小于50微米，其特征在于，所述屏蔽元件的开孔在至少一个方向上的尺寸小于50微米。
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公开(公告)号：CN100580865C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200580019455.7
申请日：2005-04-15
申请人： 纳沃技术有限公司
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/0041 , H01J2237/026
摘要： 提供一种利用带电粒子对样品进行研究和/或修改的装置，具体为扫描电子显微镜。所述装置包括带电粒子束(1，2)、具有用于使带电粒子束穿过的开孔(30)的屏蔽元件(10)，其中所述开孔(30)足够小且所述屏蔽元件(10)被设置成足够靠近样品的表面(20)，以减小表面处电荷累积效应对带电粒子束的影响。
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公开(公告)号：CN1969364A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019455.7
申请日：2005-04-15
申请人： 纳沃技术有限公司
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/0041 , H01J2237/026
摘要： 提供一种利用带电粒子对样品进行研究和/或修改的装置，具体为扫描电子显微镜。所述装置包括带电粒子束(1，2)、具有用于使带电粒子束穿过的开孔(30)的屏蔽元件(10)，其中所述开孔(30)足够小且所述屏蔽元件(10)被设置成足够靠近样品的表面(20)，以减小表面处电荷累积效应对带电粒子束的影响。
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