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公开(公告)号：CN118554909B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411014689.3
申请日：2024-07-26
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/64 , H10N30/082
摘要： 本发明适用于无线通讯技术领域，尤其涉及一种叉指换能器及其制备方法、声表面滤波器。包括以下步骤：对晶圆进行两次均胶和两次坚膜处理、进行曝光处理、旋涂显影液、镀膜处理、对光刻胶进行剥离，得到叉指换能器。与现有技术相比，本发明通过对晶圆涂抹两层光刻胶，由于两层光刻胶的物理性质存在差异，从而在后续的旋涂显影液过程中，顶层光刻胶要比底层的光刻胶剩余结构会更多，形成类似T型结构的光刻胶，使得在对晶圆进行镀膜时，金属膜会与底层的光刻胶之间形成空隙，有效避免了光刻胶附着于金属膜的周边，造成不完全剥离的现象，有效提高了叉指换能器及其声表面滤波器的电性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN114172468B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202111410127.7
申请日：2021-11-24
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种射频功率放大器，包括前级功率放大器，用于将输入端的信号进行放大后输出单端信号；第一螺旋线巴伦，用于将前级功率放大器的单端信号转换为差分信号并实现功率等分；末级功率放大单元，用于将第一螺旋线巴伦输出的差分信号进行放大后输出；第二螺旋线巴伦，用于将末级功率放大单元输出的差分信号进行合成后输出；巴伦调谐电容单元，用于调节前级功率放大器和末级功率放大器的输出阻抗；输出匹配网络，用于将第二螺旋线巴伦输出的信号实现阻抗匹配后输出。本发明还提供一种短报文通信系统。与现有技术相比，本发明的射频功率放大器和短报文通信系统输出饱和功率高，谐波抑制能力强。
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公开(公告)号：CN118677394A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411168164.5
申请日：2024-08-23
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种阻抗匹配的优化方法及声表面波滤波器，其中，所述优化方法包括以下步骤：步骤S1、得到对应的散射参数信息，并根据设定的频率范围对所述散射参数信息进行筛选；步骤S2、确定每个端口需要添加的阻抗匹配电路；步骤S3、以每个端口的散射参数的反射圆半径作为第一优化目标，进行优化得到每个端口的第一优化结果；步骤S4、以每个端口的所述第一优化结果作为初值，并以设定的频率范围内的最大插设和每个端口的散射参数的所述反射圆半径作为第二优化目标，进行再次优化，得到第二优化结果；步骤S5、对所述第二优化结果进行判定。本发明的优化方法可以提升优化速度，降低优化陷入局部最优解的可能性，加快收敛速度。
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公开(公告)号：CN118658803A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411141024.9
申请日：2024-08-20
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种框架类半导体验证的方法、系统及相关设备，所述方法包括：对框架的正面使用保护膜进行保护，并背面进行塑封；对框架背面进行研磨，以露出触点；对框架背面进行锡电镀；移去框架正面的保护膜，并在框架正面进行芯片的贴片；对完成贴片的一部分芯片，在对应的框架背面位置的锡上进行线弧打线，并切割成单芯片验证产品；基于单芯片验证产品的线弧进行性能调试验证，得到最优线弧高度；对完成贴片、且未进行线弧打线的芯片，在对应的框架背面位置的锡上按照所述最优线弧高度进行线弧打线，并切割得到正常芯片产品。本发明缩短了框架类半导体产品的调试性能周期。
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公开(公告)号：CN118536326A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202411013920.7
申请日：2024-07-26
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/08
摘要： 本发明提供一种散射参数热耦合方法、系统及相关设备，所述方法包括：构建目标器件的三维等效传热模型；基于三维等效传热模型获取目标器件的环境热阻；获取每个元件的散射矩阵Si；将器件的温漂系数与散射矩阵进行耦合得到耦合散射矩阵Si’；根据器件中不同元件的连接方式进行电气连接，得到电气模型；将电气模型通过对应的损耗功率与环境热阻进行耦合建立功率模型；计算每一耦合散射矩阵Si’对应的温度；根据温度，使用预设调整方法对散射矩阵Si进行调整，得到调整的矩阵Si’’；判断Si’’−Si’是否等于0，若是，输出功率模型作为散射参数热耦合结果。本方法与实际器件的测试条件更为贴近，温漂预测结果更为精确。
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公开(公告)号：CN118536319A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410988577.1
申请日：2024-07-23
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种基于边收缩技术的电路预处理方法、系统及相关设备，所述方法包括：基于原始等效电路构建关于其中不同电路元件之间的连接关系的电路连接列表；遍历所述电路连接列表，基于边收缩方法对不同的所述连接关系进行可合并判断，并对所述电路连接列表中的所述连接关系进行重排序，得到有序电路连接列表；遍历所述有序电路连接列表，基于边收缩方法对不同的所述连接关系进行可合并判断，并对所述有序电路连接列表中的所述连接关系进行合并，得到合并电路连接列表；基于所述合并电路连接列表，将不同的所述电路元件进行连接，得到简化等效电路。本发明降低了电路散射参数矩阵的计算耗时。
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公开(公告)号：CN118199600B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410599856.9
申请日：2024-05-15
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明提供了一种调谐开关电路及射频芯片，所述调谐开关电路包括依次连接的开关偏置单元、调谐开关单元以及调谐器件单元；所述开关偏置单元包括负压产生模块、第一正压产生模块、第二正压产生模块、电压驱动模块以及逻辑控制模块；所述调谐开关单元包括依次串联形成的多级堆叠式场效应管电路，每级所述堆叠式场效应管电路包括一个场效应管以及一个第一电阻。本发明中的调谐开关电路可以降低其导通电阻，且不会增加场效应管的面积。
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公开(公告)号：CN118353406A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410582260.8
申请日：2024-05-11
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及射频通讯技术领域，提供一种体声波谐振器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤S1、光敏玻璃衬底进行掩膜版下紫外曝光；步骤S2、对光敏玻璃衬底进行退火，形成结晶化的牺牲层；步骤S3、在光敏玻璃衬底生长形成种子层；步骤S4、在种子层生长下电极；步骤S5、在下电极的上表面和种子层的上表面生长形成压电材料层；步骤S6、在压电材料层的上表面生长上电极；步骤S7、对压电材料层进行刻蚀，露出下电极；步骤S8、刻蚀通孔；步骤S9、通过通孔释放刻蚀气体或溶液，对牺牲层进行刻蚀，形成空腔。本发明能够减少工艺步骤，降低工艺难度和减少成本，降低谐振器插损，提高结构稳定。
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公开(公告)号：CN118209406A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410638064.8
申请日：2024-05-22
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种弯曲可靠性测试夹具、系统及方法，其中，弯曲可靠性测试夹具包括结构相同且间隔对称设置的第一受力组件和第二受力组件；第一受力组件包括受力板、由受力板的一侧的中部区域凸出延伸形成的夹设部、由夹设部远离受力板的一端向内凹陷形成的固定槽、固定于受力板远离夹设部一侧的中部区域的固定转轴以及分别固定于受力板远离夹设部一侧且间隔位于固定转轴的上下相对两侧的第一横向受力梁和第二横向受力梁，固定槽用于夹设电路板样品；第一受力组件的夹设部和第二受力组件的夹设部正对设置。采用本发明中的弯曲可靠性测试夹具可以简单且更效率的对电路板样品进行弯曲可靠性测试，同时提升测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN118194603A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410586203.7
申请日：2024-05-13
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明适用于射频通信技术领域，尤其涉及一种确定滤波器反射圆半径的方法、系统及相关设备。本发明所提出的确定滤波器反射圆半径的方法在保证能够精准计算得到反射圆的最大反射半径的同时，还能保证计算的速度，相较于现有的穷举和迭代计算方法能够显著降低单次计算的时间，在频点数量大的情况下具有更好的计算性能以及普适性。
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