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公开(公告)号：CN108470798B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810419362.2
申请日：2018-05-04
申请人： 润峰电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 一种用于晶硅硅片的含氧扩散方法，包括以下步骤：低温进舟、低温稳定、前氧处理、低温沉积、升温推进、高温沉积、高温含氧推进、冷却、低温后氧处理、低温出舟；本专利通过前氧处理在硅片表面形成一层均匀的氧化层作为扩散面，厚度均匀的氧化层有助于减小气流和温度对磷原子沉积的影响改善了硅片扩散结的均匀性，提升了电池的开路电压，填充因子和转化效率；通过将高温推进设计为高温含氧推进，可使通入的大量氧气延缓扩散作用，降低表面浓度，减少死层；通过在扩散结束后增加后氧处理，可深度氧化硅片绒面，再通过后续HF的漂洗，表面扩散结的差异将被缩小，改善了扩散结的均匀性，有效减少死层、降低硅表面的复合，提高电池片的整体电性能。
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公开(公告)号：CN108004597A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711095210.3
申请日：2017-11-09
申请人： 润峰电力有限公司
摘要： 一种多晶硅制绒添加剂，包括含有硝酸、氢氟酸成分的制绒剂，所述制绒剂中添加有制绒抑制剂，所述制绒抑制剂中包含质量百分比为：二乙醇胺（CalBlend ECO-1）5~10%，聚乙烯醇5~10%，二羧酸(C4-C6)3~8%，去离子水70~85%的组分，本发明通过制绒抑制剂的添加进行选择性抑制腐蚀液对腐蚀坑侧壁的腐蚀，减缓腐蚀液对腐蚀坑侧壁的腐蚀，从而使蠕虫状结构腐蚀坑宽度减小，腐蚀坑更加细小密集（如附图），与现有技术相比，本发明制备的腐蚀坑较常规酸制绒蠕虫状结构腐蚀坑宽度降低1~2um，本发明通过抑制正电荷密度较小的腐蚀坑侧壁细化硅片表面蠕虫状腐蚀坑，从而降低硅片表面反射率。
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公开(公告)号：CN102945896B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210525872.0
申请日：2012-12-07
申请人： 润峰电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种高效多晶硅太阳电池的背场钝化工艺，包括：印刷背电场；印刷正电极；烧结；背电极焊接。与传统电池工艺相比，全背场钝化使用的印刷网版与传统工艺有很大区别，传统电池工艺的电池片背面需要印刷背电极和背电场，因此需要两块网版，而全背场钝化工艺只需要一块网版来印刷背电场。这种网版设计与传统钝化工艺网版设计相比，不再需要印刷背电极，钝化面积约增加了310mm2；传统工艺中，背电极需要印刷Ag/Al浆料，背电极遮蔽的面积部分得不到钝化，影响了背场钝化的均匀性，全背场钝化工艺对整个背面进行钝化，增加了背场的均匀性，并且节省了Ag/Al浆料。
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公开(公告)号：CN104057741A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410278305.9
申请日：2014-06-20
申请人： 润峰电力有限公司
摘要： 一种普通太阳能电池片产线引进钢板印刷的工艺，利用传统的产线印刷太阳能电池片，保证印刷高宽比，保证电池片印刷质量，提高电池片转化效率：步骤一，将太阳能电池片进行全铝背场印刷，不留背极位置；步骤二，背场印刷完成后，在200-300℃的条件下将电池片进行烘干；步骤三，在全铝背场下，印刷电池片正电极主栅，然后在200-300℃的条件下将电池片进行烘干；步骤四，在全铝背场下，印刷电池片正电极副栅，然后在200-300℃的条件下将电池片进行烘干；步骤五，将步骤四所得的电池片进行烧结；步骤六，对步骤五所得的电池片进行摩擦打磨，并在厌氧条件下采用锡焊的方式在背场上焊接背电极；本发明只采用一台钢板印刷机，极大的解决了资源，简化了工艺，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN102544240B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210062228.4
申请日：2012-03-09
申请人： 润峰电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种晶硅硅片的切片制绒一体化方法及装置，装置包括由一个出线轮、两个张力轮、多个导轮、两个辊轮、一个收线轮及缠绕在它们上面的金刚石切割线组成的切割线运动系统，辊轮与电机相连带动金刚石切割线运动，张力轮控制金刚石切割线的张力，两个辊轮之间对应的金刚石切割线上方设有固定装置，固定装置上固定有硅块，辊轮、导轮及缠绕在其上的金刚石切割线置于盛有制绒切削液的液槽内。将制绒切削液注入到切片机的液槽内，浸没金刚石切割线和硅块；转动辊轮，逐渐缓慢下压硅块接触金刚石切割线进行切片。本发明可以有效的解决切片过程中所产生的应力问题，使得切片和制绒能够同时进行，减少了化学品和工艺设备的使用，缩短了工艺流程。
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公开(公告)号：CN103413866A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310361483.3
申请日：2013-08-19
申请人： 润峰电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，首先将通过前端工艺做好的SE硅片，进行印刷背电极和背电场，然后分别印刷正电极主栅和细栅，最后经过TPS烧结炉烧结成为成品电池片。本发明对于SE电池工艺与TPS烧结炉的匹配问题，解决了在使用TPS烧结炉的常规工艺进行烧结SE电池片时产生的大量烧结不良片的问题，提高了太阳电池的光电转换效率0.2％。与二次印刷相结合，降低了SE生产成本，使SE的生产成本比传统工艺降低35.7％。
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公开(公告)号：CN103078011A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310041987.7
申请日：2013-02-02
申请人： 润峰电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种处理多晶156缺角片的一种全新方法，主要步骤为利用激光切割设备将缺角部分切割为单晶156的外部尺寸，经过全新设计的电极与电场方案进行印刷之后，使用与常规相同的方法进行电池与组件的加工处理，最终的组件产品与单晶156产品具备相同的外观，可以编入系统电站的建设中充分利用，从而避免了原本将缺角片一部分直接报废或者做碎片回购给多晶硅生产商重新铸锭切片，一部分低价出售给做草坪灯、庭院灯等微型发电设备的开发商，降低了工厂的浪费与成本，增加了企业的投入产出比。
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公开(公告)号：CN102260857B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110209162.2
申请日：2011-07-25
申请人： 润峰电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种晶硅表面镀膜及其制备方法，晶硅表面镀膜，包括晶硅表面的第一层非晶硅层，非晶硅层上面的氮化硅层和氮化硅层上面的氮氧化硅层。在硅片受光面进行等离子增强化学气相沉积镀膜，先用硅烷和氢气的混合气体或者硅烷和氮气的混合气体为气相，再以硅烷和氨气的混合气体作为气相，最后通入硅烷和一氧化二氮的混合气体为气相。本发明镀膜能减少表面复合，减少反射效果，从而有效地提高晶硅电池转换效率，增大电池输出功率。
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公开(公告)号：CN102332494A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110288354.7
申请日：2011-09-26
申请人： 润峰电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种印刷金属栅线的方法，其包括以下步骤：在镀膜晶硅硅片表面印刷第一层接触型银浆；烘干第一层接触型银浆；再在第一层接触型银浆上印刷第二层导电型银浆；最后将银浆烘干、烧结。本发明的有益效果是，采用镀膜后的单晶硅或多晶硅片作为印刷基底，通过印刷第一层接触型银浆，使金属栅线与基底形成良好的欧姆接触；再在第一层接触型银浆表面上印刷第二层导电型银浆，提升栅线的导电性能，最终提高电池的各项电性能参数。
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公开(公告)号：CN101697361B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910209307.1
申请日：2009-10-29
申请人： 润峰电力有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。其结构为：它包括带有导电层衬底，在衬底上依次沉积硫化镉层、碲化镉层、富碲层、背接触层和背电极。由于采用处理过低毒性的化合物镉为镉源，采用处理过的碲或碲化物为碲源，制备碲化镉薄膜太阳能电池。镉源与碲源按照一定摩尔比进行化学反应，制备粒径均一的碲化镉颗粒。然后提纯碲化镉颗粒，把碲化镉与含有聚偏氟乙烯的低沸点溶剂混合制成溶胶，用涂布的方法制备碲化镉薄膜。这种方法避免了人身接触高毒性的镉单质和镉蒸气，同时也避免了环境污染。
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