发明授权
- 专利标题: 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
- 专利标题(英): Cadmium telluride film solar cell and preparation method thereof
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申请号: CN200910209307.1申请日: 2009-10-29
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公开(公告)号: CN101697361B公开(公告)日: 2011-10-05
- 发明人: 司红磊 , 林道勇 , 王文斌 , 刘月平 , 李青海 , 李林松
- 申请人: 润峰电力有限公司
- 申请人地址: 山东省济宁市微山县微山经济开发区润峰工业园
- 专利权人: 润峰电力有限公司
- 当前专利权人: 润峰电力有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省济宁市微山县微山经济开发区润峰工业园
- 代理机构: 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理商 张勇
- 主分类号: H01L31/042
- IPC分类号: H01L31/042 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。其结构为:它包括带有导电层衬底,在衬底上依次沉积硫化镉层、碲化镉层、富碲层、背接触层和背电极。由于采用处理过低毒性的化合物镉为镉源,采用处理过的碲或碲化物为碲源,制备碲化镉薄膜太阳能电池。镉源与碲源按照一定摩尔比进行化学反应,制备粒径均一的碲化镉颗粒。然后提纯碲化镉颗粒,把碲化镉与含有聚偏氟乙烯的低沸点溶剂混合制成溶胶,用涂布的方法制备碲化镉薄膜。这种方法避免了人身接触高毒性的镉单质和镉蒸气,同时也避免了环境污染。
公开/授权文献
- CN101697361A 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法 公开/授权日:2010-04-21
IPC分类: