半桥功率单元、全桥功率单元、电子设备及车辆

    公开(公告)号:CN119853427A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202311348817.3

    申请日:2023-10-17

    Abstract: 本申请公开了半桥功率单元、全桥功率单元、电子设备及车辆,涉及半导体技术领域。其中,半桥功率单元包括:交流输出极母排,交流输出极母排具有第一表面;至少一个半桥功率子单元,每个半桥功率子单元设置于交流输出极母排的第一表面侧,每个半桥功率子单元至少包括第一半导体功率器件和第二半导体功率器件;第一半导体功率器件的源极功率端子和漏极功率端子分别设置于第一半导体器件的上表面,以及第二半导体功率器件的源极功率端子和漏极功率端子分别设置于第二半导体功率器件的上表面,其中:第一半导体功率器件的源极功率端子与第二半导体功率器件的漏极功率端子共同连接于交流输出极母排的第一表面。该半桥功率单元可抑制交流输出极母排所产生的电磁干扰。

    母排组件、功率半导体模块、电子设备和车辆

    公开(公告)号:CN119853426A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202311348705.8

    申请日:2023-10-17

    Inventor: 谢月 吴彦 刘宗尧

    Abstract: 本发明公开了一种母排组件、功率半导体模块、电子设备和车辆,其中,母排组件用于功率半导体器件单元,功率半导体器件单元包括多个功率半导体器件和驱动板,母排组件适于设置于多个功率半导体器件和驱动板之间;母排组件包括沿所述功率半导体器件单元的厚度方向叠层设置的直流母排和交流输出极母排,所述交流输出极母排远离所述驱动板。本发明的母排组件可以降低交流输出极母排对驱动板的电磁干扰,提高了功率模块的抗干扰性能,从而确保功率模块的稳定运行。

    半桥功率单元、三相全桥功率单元、电机控制器及车辆

    公开(公告)号:CN119853394A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202311345905.8

    申请日:2023-10-17

    Inventor: 谢月 吴彦 刘宗尧

    Abstract: 本发明提供了一种半桥功率单元、三相全桥功率单元、电机控制器及车辆,半桥功率单元包括至少一个半桥功率子单元;每个半桥功率子单元包括一组上桥单管和下桥单管,上桥单管和下桥单管串联;其中,上桥单管和下桥单管为源极功率端子和漏极功率端子位于同一侧表面的相同结构器件。当采用这种功率端子都集中分布在同侧的单管排布串联时,能够有效地缩短串联电路中所需使用的母排的长度,随着母排长度的减小,母排所引入的寄生电感也相应减小,这种半桥功率单元的功率控制更为平稳,电气性能更为稳定。并且,容易理解的是,相较于使用功率端子分散在两侧的单管,能缩减半桥功率单元的体积尺寸,集成度更高,可以节省安装空间。

    偏置电流生成电路、滤波电路、供电系统和电子设备

    公开(公告)号:CN119847264A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411238199.1

    申请日:2024-09-04

    Abstract: 本发明公开了一种偏置电流生成电路、滤波电路、供电系统和电子设备,所述偏置电流生成电路包括:偏置电流生成模块,所述偏置电流生成模块的电源电压端与所述供电系统的稳压电路连接,所述稳压电路用于输出第一供电电压,所述偏置电流生成模块用于在所述第一供电电压的供电下输出偏置电流。采用该电路可以降低电流源对模拟电源电压的相关性,避免偏置电流生成电路受模拟电源的波动干扰,提高偏置电流源的PSR。

    元胞结构、功率器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119677146A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202311206894.5

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本发明公开了一种元胞结构、功率器件及其制备方法。该元胞结构包括:衬底;第一导电类型的外延层,设置在衬底上方;离子注入区,设置在外延层内;栅极区,设置在离子注入区上方或者离子注入区内,包括栅氧化层,栅氧化层与外延层相连,栅氧化层上形成栅氧薄弱区;第二导电类型的第一保护埋层,沿竖向方向延伸设置在栅氧薄弱区上,第一保护埋层的深度高于离子注入区的深度。由于第一保护埋层与外延层的导电类型不同,且所述第一保护埋层的深度高于所述离子注入区的深度,使得栅氧薄弱区内聚集的电场分散至第一保护埋层的周围,使得栅氧薄弱区的电场分布减弱,从而提升栅氧化层的耐压性能,进而提升元胞结构的耐压性能。

    一种微控制器芯片及其非易失性存储器的检测方法

    公开(公告)号:CN117827736A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202211202914.7

    申请日:2022-09-29

    Inventor: 周博 李奇峰 杨云

    Abstract: 本发明实施例提供了一种微控制器芯片及其非易失性存储器的检测方法,该微控制器芯片包括控制电路、锁存电路、缓存电路、比较电路、非易失性存储器,本发明可以提取微控制器芯片中控制电路发出的关键信号并发送至锁存电路和缓存电路进行比较,当锁存的关键信号和缓存的关键信号不一致时,可以确定关键信号发生缓存异常;本发明可以在关键信号发出时就进行提取并分别发送至锁存电路和缓存电路进行比较检测,能够使得缓存异常信号更快被发现,降低了维护和分析问题原因的难度,提升了微控制器芯片控制的可靠度和安全性。

    智能进入控制器、智能进入控制方法和车辆

    公开(公告)号:CN119840552A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202410370185.9

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种智能进入控制器、智能进入控制方法和车辆,智能进入控制器包括:第一晶圆、主核模块和副核模块;主核模块位于第一晶圆上,用于对智能进入任务进行调度和管理以及对智能进入数据进行处理;副核模块位于第一晶圆上,副核模块与主核模块连接,用于对智能进入数据进行加密或解密处理。本发明的智能进入控制器在同一晶圆上设置主核模块和副核模块,实现智能进入控制,集成度更高,利于减小器件体积、易于安装以及减小通信线路,通信线路少进而可以减少故障率,并且通过副核模块实现加解密,即在控制器内部实现数据加解密,不容易被破解,数据更加安全。

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