汽车微机电系统ASIC芯片的保护电路及微机电系统

    公开(公告)号:CN117748432A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311791552.4

    申请日:2023-12-25

    IPC分类号: H02H9/02 H02H9/04 H02H7/20

    摘要: 本发明提供汽车微机电系统ASIC芯片的保护电路及微机电系统,属于汽车电子MEMS技术领域。该电路包括:第一保护模块。电容单元的第一端作为第一保护模块的输入端,用于接收ASIC芯片端口的静电。电容单元用于在接收到静电后控制第一NMOS晶体管的漏源导通,并通过接地的第二电阻泄放静电。第二NMOS晶体管用于在第一NMOS晶体管的漏源导通后,基于第一NMOS晶体管的源端电压控制寄生三极管的基极,导通寄生三极管、形成泄放通道。本发明在传统GGNMOS结构的第一NMOS晶体管导通之后,通过衬底驱动的第二NMOS晶体管以形成寄生三极管导通泄放通道,增强了对大电流静电的泄放能力。

    用于惯性传感器标定的电路、惯性传感器封装及标定方法

    公开(公告)号:CN117606517A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202410085539.5

    申请日:2024-01-22

    IPC分类号: G01C25/00 B81B7/00

    摘要: 本发明涉及惯性传感器集成电路标定技术领域,尤其涉及一种用于惯性传感器标定的电路、惯性传感器封装及标定方法,本发明用于惯性传感器标定的电路主要为数据累加模块的累加器和相应的计数器、数据比较电路、系数进行调整操作的逻辑,以及存储多个系数计算结果的寄存器、数据选择器和相关控制电路等,硬件资源投入少。本发明由于采用了多个数据求和与右移的方式确定零偏和标度,不需要除法的浮点运算,无需设置硬件除法电路,并通过优化标定电路与传感器信号链复用部分逻辑电路,匹配设计标定方法,实现硬件开销小、计算延时小的惯性传感器快速标定。

    MEMS高量程小型化压力传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117053956A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311116769.5

    申请日:2023-08-31

    IPC分类号: G01L1/18

    摘要: 本发明提供了一种MEMS高量程小型化压力传感器,属于传感器技术领域,包括自下而上依次连接的烧结座和连接器;烧结座的下部的外侧具有若干个间隔设置的环形凸起,环形凸起用于嵌装入安装面;烧结座内具有压力检测组件;连接器内设有弹性电连组件,弹性电连组件的下端连接压力检测组件,弹性电连组件的上端伸出连接器的上端面且弹性电连组件具有沿连接器的长度方向的自由度。本发明提供的MEMS高量程小型化压力传感器,通过将螺纹密封方式更换为环形凸起机械压紧密封,依靠环形凸起的自身的形变实现其与安装面的密封效果,节约了烧结座的安装空间;同时改变了柔性电连接方式,将传统的柔性连接改为弹性电连组件,可有效缩减了装配空间。

    MEMS温度加速度复合传感器

    公开(公告)号:CN115355955B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211298800.7

    申请日:2022-10-24

    IPC分类号: G01D21/02 G01D11/26

    摘要: 本发明提供了一种MEMS温度加速度复合传感器,包括壳体、温度检测模块、加速度检测模块和控制模块,壳体能够沿第一路径伸缩;温度检测模块设于所述壳体内;加速度检测模块设于所述壳体内,用于检测车辆行驶时的加速度;控制模块设于所述壳体内,分别与所述加速度检测模块和所述温度检测模块连接,所述控制模块包括中间具有屏蔽层的PCB板,和集成于所述PCB板上的电子元件。本发明提供的MEMS温度加速度复合传感器,旨在解决现有技术中MEMS传感器防震性能和抗磁性能较差的问题。

    集成旋磁器件的射频微系统

    公开(公告)号:CN115224010B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211118358.5

    申请日:2022-09-15

    IPC分类号: H01L23/66 H01L25/18

    摘要: 本发明提供一种集成旋磁器件的射频微系统。该射频微系统包括:第一硅基层和第二硅基层依次堆叠设置于硅基载体层上;第一硅基层与硅基载体层之间设置第一电路;第一硅基层与第二硅基层之间设置第二电路;第一硅基层与第一电路上设置第一通孔;旋磁片设置于第一通孔内部,旋磁片上表面与第二电路接触,旋磁片下表面与硅基载体层上表面接触;第二硅基层上设置凹槽,磁钢设置于凹槽内部,且磁钢的中心位置与旋磁片的中心位置位于同一中心轴;磁钢、旋磁片、对应第二电路的第一预设部分、对应第二硅基层的部分,对应第一硅基层的部分、对应第一电路的部分、对应硅基载体层的部分共同构成旋磁器件。本发明能够实现旋磁器件在射频微系统中的直接集成。

    一种惯性传感器的测试装置、方法及系统

    公开(公告)号:CN114923505B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210831515.0

    申请日:2022-07-15

    IPC分类号: G01C25/00

    摘要: 本发明提供一种惯性传感器的测试装置、方法及系统。该测试装置包括:转台;多个采集板,层叠式安装于所述转台上,所述多个采集板随所述转台绕中心点转动;其中,每个采集板上设置有多个安装条,每个安装条用于安装多个惯性传感器。本发明能够增加单次惯性传感器测试的产品数量,提高惯性传感器测试效率。

    惯性导航总成
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114858164A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210789395.2

    申请日:2022-07-06

    IPC分类号: G01C21/16 F16F15/02 F16F15/08

    摘要: 本发明提供了一种惯性导航总成,所述惯性导航总成包括总成壳体、安装座、模组、数字板、总成壳盖以及缓冲垫,所述安装座设于所述总成壳体内,且与所述总成壳体通过螺纹连接件连接;所述模组放置于所述安装座的顶部,所述模组具有第一接线部,以及与第一接线部通讯连接的敏感芯片;所述数字板设于所述总成壳体和所述安装座之间,所述数字板上具有用于与所述第一接线部通讯连接的第二接线部;所述总成壳盖与所述总成壳体连接;所述缓冲垫分别挤压于所述安装座和所述模组之间,以及所述模组和所述总成壳盖之间。本发明提供的惯性导航总成有效克服振动干扰,减少动态误差,提高输出精度;减小本发明惯性导航总成的体积,有利于批量化标定、测试。

    一种失稳检测传感器及封装方法

    公开(公告)号:CN110849400A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911226316.1

    申请日:2019-12-04

    IPC分类号: G01D11/00 G01D11/24 G01D11/26

    摘要: 本发明提供了一种失稳检测传感器及封装方法,属于传感器技术领域,一种失稳检测传感器,包括金属外壳、金属内壳以及电路单元,金属外壳的一侧面设有第一开口且该侧面连接有用于封装第一开口的第一封盖;金属内壳设于金属外壳内部,金属内壳与金属外壳之间具有预设间隙;金属内壳朝向第一封盖的侧面设有第二开口,且该侧面连接有用于封装第二开口的第二封盖;电路单元固接于金属内壳的内壁,设有依次向外穿过金属内壳的侧壁、金属外壳的侧壁的信号线缆,信号线缆用于与信号处理器电连接;在第二封盖封装了第二开口且第一开口向上时,预设间隙中填充有液态的第一硅橡胶,第一硅橡胶固化后用于将金属内壳完全包覆并绝缘支撑于金属外壳内。

    MEMS传感器的封装方法及封装结构

    公开(公告)号:CN108622847A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810415088.1

    申请日:2018-05-03

    IPC分类号: B81B7/02 B81B7/00 B81C1/00

    摘要: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种MEMS传感器的封装方法及封装结构,所述方法包括:使用PCB基板或者塑封空腔金属引线框架作为基底;将目标垫片固定在所述基底的预设位置处;将MEMS传感器芯片固定在所述目标垫片上;将所述MEMS传感器芯片与所述基底进行电气连接;在所述MEMS传感器芯片的表面设置保护层;根据所述目标垫片和设置保护层后的MEMS传感器芯片,对所述基底进行切割,通过在传感器芯片与基底之间采用垫片结构,实现较好的结构应力隔离和温度应力匹配,提高MEMS传感器的性能。